Полупроводниковая пластина

Cтраница 4

Большинство дефектов на полупроводниковой пластине носит случайный характер, а выход годных кристаллов зависит от их числа и от распределения дефектов по пластине. Наименьший процент выхода годных получается при равномерном распределении дефектов по пластине. [46]

Интегральный конденсатор.| Диффузионный резистор. [47]

Для формирования в полупроводниковой пластине рбласти, обладающей требуемым электрическим сопротивлением, рбычно используют базовый слой транзисторной структуры ( рис. 1.9) и, иногда, эмиттерный или коллекторный слои. Такие резисторы называются диффузионными. Алюминиевые межсоединения / имеют Контакт с резистивным элементом 2 через окна в изолирующей пленке двуокиси кремния. Электронно-дырочный переход 3 изолирует резистивный элемент от тела кристалла. [48]

Конфигурация электродов мощных СВЧ-транзисторов. а - гребенчатая. б - многоэмиттерная. [49]

Процесс получения на полупроводниковой пластине слоя, сохраняющего структуру пластины, но имеющего иную удельную проводимость, называют эпитаксиалъным наращиванием. Полученная структура, которую обозначают и - п, входит в состав - коллектора. [50]

Для создания на полупроводниковой пластине транзисторов применяются пленарная и планарно-эпитаксиальная топологии, используемые также для изготовления отдельных современных транзисторов. Различие в характеристиках транзисторов полупроводниковых микросхем и отдельных транзисторов может быть обусловлено свойствами изолирующей области, в которой находится транзистор на пластине твердой схемы. [51]

Исходным материалом является п полупроводниковая пластина, на которой выращен эпитаксиаль-ный л - - слой. Затем в этом слое осуществляют последовательную диффузию соответствующей примеси и формируют глубокую р-область и высоколегированный л - слой истока. На данном этапе технологических операций полученная структура идентична ячейке биполярного транзистора. Однако затем, используя селективное химическое травление, в структуре формируют V-об-разные канавки, а также выращивают слой защитного окисла и создают металлизацию под вывод затвора и истока. [52]

Катушка индуктивности в микроисполнении.| Микроминиатюрный конденсатор на полупроводнике. [53]

Второй обкладкой конденсатора служит полупроводниковая пластина. Такого типа конденсаторы выдерживают напряжение до 0 5 в, имеют малый температурный коэффициент, однако удельная емкость таких конденсаторов невелика. [54]

Охлаждаются шлифовальный инструмент и полупроводниковые пластины, а также удаляются отходы шлифовки водой, подаваемой на столик нижних шпинделей. Улавливают сошлифованный материал специальным фильтром, представляющим собой стакан с двумя фетровыми прокладками и двумя латунными сетками, подвод и отвод жидкости к которым выполнен дюритовыми шлангами. [55]

Перед разрезкой и монтажом полупроводниковые пластины с готовыми структурами ИС подвергаются проверке для выявления дефектных микросхем. Проверка производится с помощью многозондового контактного устройства. Соответствующим образом выставленные зонды контактируют одновременно со всеми контактными площадками ИС. Переход от контроля одной схемы к другой осуществляют с по. Для получения качественной оценки годности ИС проверка ее производится по большому числу параметров в статическом и динамическом режимах. Операция эта выполняется с помощью измерительных автоматов с программным управлением. Негодные ИС отмечаются краской. Аналогичными методами производится контроль и ГИС. [56]

Страницы: 1 2 3 4