Полупроводниковая пластина

Cтраница 3

Структура МДП-транзисторов с индуцированным ( а и встроенным ( б каналами. [31]

В качестве исходной полупроводниковой пластины в полевых транзисторах всех типов могут быть использованы полупроводники как п -, так и / ьтипов. Поэтому различают полевые транзисторы п - и / ьтипов. На нее наносят металлическую пленку, к которой припаивают омический контакт. [32]

Структура МДП-транзисторов с индуцированным ( а и встроенным ( б каналами. [33]

В качестве исходной полупроводниковой пластины во всех типах полевых транзисторов могут быть использованы полупроводники как п -, так и / 7-типов. Поэтому различают полевые транзисторы п - и р-типов. На подложку наносят металлическую пленку, к которой припаивают омический контакт. [34]

При этом полупроводниковую пластину приклеивают стороной, не имеющей диффузионного или окисного слоя к оправке, которая заведомо имеет заданный угол. После истечения заданного времени привод шлифовальника останавливают, снимают приспособление, промывают полупроводниковую пластину и отклеивают ее с оправки. [35]

Выделяющееся в полупроводниковой пластине тепло должно отводиться. Способ отведения тепла определяет зависимость максимально допустимых температур от выделяющейся мощности. [36]

Преобразователем Холла называется полупроводниковая пластина с проводящими металлическими электродами и припаянными к ним проводами, принцип действия которого основан на использовании эффекта Холла. Основными параметрами преобразователя Холла являются параметры, приведенные ниже. [37]

При несимметричном расположении полупроводниковой пластины относительно плоскости симметрии желобкового волновода области с различными значениями поляризации волн высших типов также несимметричны друг относительно друга. Характер асимметрии и знак поляризации в каждой из областей зависит от направления распространения волны, что приводит вследствие различия диэлектрической проницаемости намагниченной плазмы полупроводника для лево - и правополяризованных волн к существенно различному распределению электромагнитного поля для прямой и обратной волн. Это, в конечном счете, обусловливает невзаимность фазы и различную диссипацию энергии в полупроводниковой пластине для прямой и обратной волны. [38]

Наилучшие результаты обезжиривания полупроводниковых пластин и кристаллов получают в ультразвуковых ваннах с подогревом. [39]

Сырьем для изготовления полупроводниковых пластин служит химически чистый кремний. В ходе реакции восстановления кислород двуокиси кремния связывается с углеродом, образуя окись углерода, а кремний выделяется в виде чистого вещества. Оба исходных материала, кварц и углерод, имеются в природе в изобилии. Таким образом, пока речь идет об используемых в настоящее время в промышленности объемах кремния, проблемы сырья для микроэлектроники не возникает. После кислорода кремний является самым распространенным на Земле химическим элементом: земная кора на 28 % состоит из кремния. Связанные с исходными материалами трудности лежат совсем в иной плоскости. Дело заключается в их чистоте, обеспечить которую удается лишь весьма дорогой ценой. Однако, прежде чем приступить к выращиванию из него кристалла, требуется дополнительная очистка. Удаление из кремния атомов примесей таких тяжелых металлов, как медь и железо, осуществляется следующим способом. В ходе этой реакции атомы тяжелых металлов связываются хлором: образуются хлориды. В процессе последующей фракционной перегонки хлориды испаряются. Оставшийся трихлорсилан смешивается с водородом и при температуре 1000 С происходит его восстановление. Сам кремний осаждается на тонкий кремниевый стержень, предварительно помещенный в химический реактор в качестве затравочного материала. В результате процессов, протекающих в реакторе, имеющем вид длинной кварцевой трубы, получают кремниевый стержень толщиной 8 см и длиной около метра. [40]

Время между зарядкой полупроводниковой пластины и визуализацией изображения не должно превышать 10 - 15 мин. [41]

От химической обработки полупроводниковых пластин, которую многократно повторяют в течение технологического цикла, в значительной степени зависит качество всего процесса изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. [42]

Возникновение на поверхности полупроводниковых пластин различных повреждений, которые при расшифровке снимка трудно отличить от дефекта контролируемого изделия. [43]

Для этой цели полупроводниковую пластину погружают в ванну, содержащую плавиковую кислоту и фтористый аммоний, и которая растворяет все незащищенные участки двуокиси кремния. [44]

БИС, представляющие собой неразрезанную полупроводниковую пластину с многослойной ( многоуровневой) коммутацией, нанесенной изолирующего окисла. БИС этого типа может объединять на втором и третьем ( верхних) уровнях коммутации различные функциональные ИС, универсальным образом закомму-тированные на ( нижнем) уровне. [45]

Страницы: 1 2 3 4