Пластинка - германий
Cтраница 2
При травлении пластинки германия или кремния с полученными уже электронно-дырочными переходами необходимо учитывать возможность влияния травителя на материал ристаллодержателя и выводов. [16]
Для получения пластинок германия с зеркально гладкой поверх ыостью их следует травить в полирующих смесях, но обязательно при постоянной температуре и эффективном перемешивании. [17]
При травлении пластинки германия или кремния с полученными уже электронно-дырочными переходами необходимо учитывать возможность влияния травителя на материал кристаллодержателя и выводов. Иногда прибегают к покрытию перед травлением поверхности кристаллодержателя воском или другим материалом, защищающим детали прибора от травителя. [18]
Образцы представляли собой пластинки германия толщиной 1 7 - 3 7 мм удельного сопротивления-15 ом см, вырезанные из монокристаллических слитков германия дырочной проводимости. [19]
 |
Зависимость тока от индукции магнитного поля при различных значениях прямого напряжения. [20] |
Магнитодиод изготовляется из пластинки германия или кремния с собственной электропроводностью размером 3 0 X 6, О х 0 4 мм. В кремниевых магнитодиодах для изготовления j - слоя используют вы-сокоомный кремний с удельным сопротивлением 6004 - 1500 Омам. [21]
 |
Основные электрические параметры триодов П201 - П203. [22] |
Основой прибора является пластинка германия диаметром 6 мм с удельным сопротивлением 3 - 4 ом см и диффузионной длиной не менее 0 8 мм. Для образования р-п-переходов применяют сплав индия с 1 % галлия. Присадка последнего значительно улучшает эффективность эмиттера. [23]
Он представляет собой пластинку германия или кремния или другого полупроводника, в которой созданы три области с различной электропроводностью. [24]
 |
Схемы получения электронно-дырочных переходов.| Точечный диод. [25] |
Этим самым в пластинке германия возникает на границе областей с противоположными типами электропроводности р-п-переход. [26]
Точечный диод состоит из пластинки германия или кремния с электронной проводимостью и тонкой металлической иглы, конец которой приварен к этой пластинке. Вблизи острия иглы в пластинке полупроводника образуется область с дырочной проводимостью ( р-об-ласть), а на ее границе с остальным объемом пластинки р-и-переход с пропускным направлением от иглы к основной массе пластинки и плохой проводимостью в обратном направлении. [27]
 |
Схематическое и условное изображение.| XapaiiTCpucTHKH плоскостного транзистора. d - сходные. б - выходные. [28] |
Основным элементом транзистора является пластинка германия или кремния, в которой созданы три области с различными типами проводимости. [29]
 |
Транзистор типа п-р - п. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5