Пластинка - германий
Cтраница 3
Плоскостной транзистор состоит из пластинки германия или кремния, в которой искусственно созданы три области различных проводимостей. Две крайние области всегда имеют одинаковый тип проводимости, а средняя область - другой. По сравнению с крайними областями средняя имеет ничтожно малые размеры. Ее толщина не превышает 10 - 20 мк. [31]
 |
Устройство сплавного транзистора. / - эмиттер. 2 - коллектор. 3 - база.| Упрощенная схема изготовления диффузионного транзистора. [32] |
Базой такого транзистора служит пластинка германия или кремния типа п или р, на которую с двух сторон наплавляются кусочки. При этом вблизи границ сплавления в толще германия или кремния образуются два слоя с необходимым типом проводимости, представляющие собой эмиттер и коллектор прибора. [33]
После выполнения перечисленных операций пластинка германия может считаться подготовленной для приплавления или прикрепления к ней электродов. Устройство и назначение электродов а полупроводниковых приборах очень разнообразно. Заготовка электродов ведется параллельно обработке германия ( см. левую верхнюю часть технологической схемы фиг. [34]
 |
Схема поверхностно-барьерного триода. [35] |
Поверхностно-барьерный триод представляет собой пластинку германия электронного типа проводимости, в которой с двух противоположных сторон электрохимически вытравлены две лунки диаметром приблизительно 0 4 мм. На дно этих лунок гальванически наносятся индиевые осадки диаметром около 0 075 и 0 15 мм, соответственно служащие эмиттером и коллектором. [36]
 |
Германиевый фотоэлемент и условный знак полупроводникового фотоэлемента.| Кремниевый фотоэлемент. [37] |
В процессе изготовления в пластинке германия, расположенной над индием, образуется область с р-проводимостью, на границе которой с германием и создается p - n - переход. Слой германия, расположенный над индием, настолько тонок, что световые лучи свободно проникают в зону p - n - перехода. Корпус фотоэлемента из органического стекла залит изолирующим компаундом 3, через который проходят два проводниковых вывода. [38]
Вблизи границ сплавления в пластинке германия образуются два слоя с проводимостью типа р, представляющие собой эмиттер и коллектор триода. На границе полупроводников с разной проводимостью появляются / 7-п-переходы. [39]
 |
Германиевый фотоэлемент.| Кремниевый фотоэлемент. [40] |
В процессе изготовления в пластинке германия, расположенной над индием, образуется область с р-прово-димостью, на границе которой с германием и создается р - п переход. Слой германия, расположенный над индием, настолько тонок, что световые лучи свободно проникают в зону р - п перехода. [41]
Основой современного полупроводникового прибора служит пластинка германия, кремния или другого полупроводникового материала. Ее называют базой и изображают толстой чертой подобно символу катода диода. Если у базы выводы сделаны от нескольких участков ее, то это разрешается указывать линиями, подходящими к этому символу с обеих сторон. [42]
Плоскостной кристаллический диод состоит из пластинки германия / ( фиг. В результате проникновения в германий атомов индия область германия 5, расположенная около индия, приобретает дырочную проводимость. Такие диоды имеют форму дисков и применяются в мощных выпрямителях, рассчитанных на десятки и сотни ампер. [43]
Элемент полупроводникового выпрямителя состоит из пластинки германия или кремния толщиной 0 5 мм, на которую наплавлен тонкий слои индия. [44]
 |
Схема установки для измерения токов утечки транзисторов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5