Круговая пластинка

Cтраница 3

Так, в работе [31] - приведены результаты изучения собственных поперечных колебаний тонких ортотроп-ных эллиптических пластинок с аналогичным эквидистантным вырезом. Теоретический анализ осуществлен с использованием метода Ритца. При этом проведено преобразование эллиптической пластинки в кольцевую с единичным внешним радиусом путем перехода к новой системе координат. Кольцевая круговая пластинка разбита на ряд секторов. Поперечные перемещения аппроксимируются рядами произведений приемлемых функций секториальнрй балки с малым углом конусности в плане на тригонометрические функции угловой координаты. Перемещения в направлении радиальной координаты аппроксимируются полиномами пятой степени, которые удовлетворяют основному уравнению изгибных колебаний балок. В результате проведенного исследования определены собственные числа и формы собственных колебаний для некоторых образцов изотропных эллиптических и круговых пластинок с подобными центральными вырезами. Для апробации полученных авторами результатов в работе дано сопоставление с результатами точных решений и результатами других авторов, полученных для частных случаев. [31]

Круглый резисторный датчик с четырьмя симметрично расположенными контактами и блок-схема устройства контроля. [32]

В общем случае, как указал Ван-дер Пау [335], для измерения сопротивления объектов нерегулярной формы с помощью четыре точечных зондов, расположенных по периферии объекта, необходимо иметь по крайней мере два разных значения тока и напряжения. Для подсоединения, приведенного на рис. 60, величина поверхностного сопротивления пленки определяется из одного измерения R, 4 53 VII. При этом показания напряжения на цифровом вольтметре будут численно равны поверхностному сопротивлению. Помимо преимуществ, связанных с четырехзондовыми измерениями, этот тип датчика обладает и рядом других достоинств. Так например, можно показать, что небольшие изменения в диаметре круговой площади пленки, вызванные неправильной установкой маски или изменением зазора между маской и подложкой, приводят к пренебрежимо малым изменениям показаний. Этот датчик применим также для производства полупроводниковых интегральных схем, где круговые пластинки кремния являются стандартными подложками с хорошей изоляцией поверхности. Это гарантирует идентичность нормальной подложки и подложки датчика по теплопроводности, теплоте абсорбции и температуре поверхности. Для автоматического прекращения процесса используется выходной сигнал от компаратора, на второй вход которого подается сигнал от селектора конечной величины. Последний представляет собой четырехзначный двоично-кодированный десятичный ключ, в который может быть введена конечная величина, при которой процесс должен быть прекращен. [33]

В пятой главе описаны слоистые упругие трансверсально изотропные пластинки, имеющие симметричное относительно срединной плоскости строение пакета слоев. Найден широкий класс решений этих уравнений, что позволило, в частности, решить задачу изгиба круговой пластинки, несущей поперечную нагрузку. В качестве примера рассмотрена задача осесимметричного деформирования круговой пластинки. Выполненное исследование, включающее в себя вычисление разрушающей, интенсивности нагрузки, определение механизма возникновения разрушения и определение зоны его инициирования, выявило принципиальную необходимость учета влияния поперечных сдвиговых деформаций на расчетные характеристики напряженно-деформированного состояния для пластин с существенно различными жесткостями слоев. Решена задача устойчивости пластинки, нагруженной силами, действующими в ее плоскости. Составлены общие уравнения устойчивости и подробно исследован тот случай, когда тензор докритических усилий круговой. Для этого случая найден широкий класс решений уравнений устойчивости. В качестве примера дано решение задачи устойчивости круговой пластинки, нагруженной равномерно распределенным по контуру сжимающим радиальным усилием. Эта же задача решена еще и на основе других неклассических уравнений, приведенных в третьей главе, а также на основе уравнений трехмерной теории устойчивости. Выполнен параметрический анализ полученных решений, что позволило указать границы применимости рассматриваемых уточненных теорий, оценить характер и степень влияния поперечных сдвиговых деформаций и обжатия нормали на критические интенсивности сжимающего усилия. [34]

Страницы: 1 2 3