Пленка - молибден
Cтраница 2
Опубликованы патенты [320, 321], в которых предлагается использовать б / с-ареновые производные молибдена для получения пленок молибдена на различных материалах. [16]
В качестве контактного слоя может использоваться молибден. Пленки молибдена обычно наносят с помощью электронного луча. [18]
Были получены снетлые зеркальные пленки молибдена с хорошей адгезией к стеклу и ситаллу. [19]
Адгезионная прочность пленок молибдена и ванадия, напыляемых в вакууме на Si02, в зависимости от толщины этих пленок представлена в табл. V7. [20]
Электронографические исследования показали, что в пленках, полученных разложением ареновых я-комнлексов молибдена, присутствует карбид молибдена Мо2С и, в отличие от аналогичных пленок хрома, отсутствуют окислы. Электронно-микроскопические исследования пленок молибдена показали, что они в основном состоят из беспорядочно ориентированных зерен размером 100 - 200 А. [21]
С) образование пленки начинается при 300 С. При 350 С образуется зеркальная пленка молибдена с хорошей адгезией к подложке. При нагреве подложки выше 400 С образуются темные неравномерные пленки с удельным сопротивлением до 100 ом / квадрат. С / 2 - 4 мм рт. ст.) лежит в интервале температур 400 - 450 С. [22]
Как видно из электронномикроскопических снимков ( рис. 6, см. вклейку), пленки молибдена одинаковой толщины ( d 600 А) при температуре отжига 900 С обладают большей сплошностью, нежели при температуре отжига 1150 С. При температуре отжига 900 С пленки молибдена наблюдается лишь расчленение некоторых участков пленки, а при температуре отжига 1150 С этой же пленки происходит ее собирание в отдельные острова. [23]
При помощи измерения сопротивления в зоне контакта оценена адгезия металлических пленок никеля, молибдена и вольфрама к армкожелезу. Так, сопротивление зоны контакта RK пленок молибдена увеличивается от 5 2 - 10 - 8 до 46 6 - 10 6 Ом с увеличением времени контакта от 7 до 40 с. При нахождении этих пленок в атмосфере без кислорода сопротивление зоны контакта снижается и составляет 1 1 - 10-в Ом через 7 с после контакта и 6 3 - 10 - 6 Ом через 20 с после контакта. После оджига системы сопротивление увеличивается до 82 2 - 10 - 6 Ом. Увеличение сопротивления зоны контакта свидетельствует об увеличении зазора между контактирующими телами или о возникновении граничного слоя, сопротивление которого изменяется по отношению к сопротивлению исходного материала. Если в зоне контакта не происходит физико-химических изменений, влияющих на сопротивление граничного слоя, то с увеличением сопротивления в зоне контакта адгезия должна снижаться. [24]
Повышение адгезии тонких пленок ванадия к SiO2 и А12О3 наблюдается при температуре 600 С и увеличивается при отжиге 900 С. Отжиг при 1150 С не дает явного повышения адгезии для пленок молибдена и ванадия по сравнению с отжигом при 900 С. Как видно из табл. 1, 2, увеличение адгезии покрытия к подложке с температурой отжига более существенно для пленок ванадия, чем для молибдена. [25]
В защитной атмосфере ( без кислорода) сопротивление зоны контакта значительно меньше, чем на воздухе, а адгезионная прочность, соответственно, больше. При увеличении времени формирования покрытий ( образование покрытий происходило методом напыления) от 7 до 40 с на воздухе и до 20 с в защитной атмосфере сопротивление RK для пленок молибдена увеличивается от 5 2 - 10 - 6 до 46 6 X X 10 6 Ом на воздухе и от 1 1 10 - 6 до 6 3 - 10 6 Ом в защитной атмосфере. Такое увеличение сопротивления свидетельствует о снижении адгезионной прочности. Это снижение вызвано проходящими в зоне контакта диффузионными процессами. [26]
Удаляются остатки ПММ и слой диэлектрика травится плавиковой кислотой до кремниевой подложки. В результате образуется структура, показанная на рис. 8.6 а. Пленка молибдена слегка нависает над отверстием в диэлектрике, так как кислота не действует на молибден. [28]
Этот метод был применен также для обработки молибдена и кремния. Была разработана программа изготовления этим методом деталей электронных устройств. Пленка молибдена была разрезана па мелкие квадраты после ее маскирования при помощи электронного луча. [29]
 |
Зависимость концентрации углерода п молибдене от скорости откачки. [30] |
Страницы: 1 2 3