Пленка - молибден
Cтраница 3
При проведении процессов химического осаждения при пониженных давлениях, вследствие повышения средней длины свободного пробега молекул газа и уменьшения теплопроводности газовой среды, снижается вероятность протекания гомогенной реакции. В результате этого реакция термического разложения осуществляется гетерогенно на поверхности подложки, что приводит к образованию плотных осадков с хорошей адгезией. В работе [34] приведены теоретические расчеты зависимости скорости образования пленки молибдена при разложении гексакарбонила молибдена от общего давления. Показано, что скорость роста осадка увеличивается с уменьшением общего давления в системе или, что то же самое, с уменьшением молярной доли кар-бонила в газовой фазе. Проведение процесса при более низком давлении приводит не только к увеличению скорости роста пленки, но и к снижению содержания углерода в металлическом осадке. [31]
В качестве диэлектрика 2 выбирают материал с большей, чем у SiO2, диэлектрической проницаемостью. В этом случае для создания слоев / и 3 применяют сильнолегированный поликремний. Окись тантала увеличивает удельную емкость в 6 5 раз, слой / представляет собой пленку тантала, а слой 5 - пленку молибдена. Это дает возможность создавать СБИС с информационной емкостью более 1 Мбит. [32]
 |
Кинетика окисления силицидов титана при различных температурах. [33] |
Величина температурного перепада между кремнием и титаном должна быть таковой, чтобы равновесное давление кремния было больше давления диссоциации силицидов титана. Силицирование титана из паровой фазы можно осуществить также, если предварительно на поверхность титана нанести тонкую ( 10 - 20 мкм) пленку молибдена, вольфрама или другого тугоплавкого металла. [34]
Следует предотвращать загрязнение поверхности во время ионной бомбардировки. Инертный газ должен быть предельно чистым. Для выполнения этого условия газ высокой степени чистоты напускают из пирексовой колбы с разбиваемой перемычкой через прогреваемый металлический вентиль, регулирующий поток газа. Чтобы еще больше снизить возможность попадания примесей, инертный газ следует медленно пропускать через трубку с геттером ( пленка испаренного молибдена), присоединенную прямо к прибору через шарнирное соединение без смазки. Это соединение позволяет отделить трубку с геттером от прибора перед впуском активного газа. [35]
Эта особенность кислорода отчетливо обнаруживается в его способности катализировать ( благодаря парамагнитным свойствам) реакцию орто-пара превращения водорода. Следовательно, для протекания реакции кислорода с поверхностью угля требуется энергия активации. В случае адсорбции на металлах энергия активации может быть ничтожно малой или даже равна нулю. На поверхности цезия при температуре жидкого воздуха кислород самопроизвольно образует хемосорбционный слой молекул поверхностного окисла. На пленке молибдена, полученной испарением металла в высоком вакууме, переход от физической адсорбции к хемосорбции требует более высоких температур. [36]
Эта особенность кислорода отчетливо обнаруживается в его способности катализировать ( благодаря парамагнитным свойствам) реакцию орто-пара превращения водорода. Следовательно, для протекания реакции кислорода с поверхностью угля требуется энергия активации. В случае адсорбции на металлах энергия активации может быть ничтожно малой или даже равна нулю. На поверхности цезия при температуре жидкого воздуха кислород самопроизвольно образует хемосорбционный слой молекул поверхностного окисла. Па пленке молибдена, полученной испарением металла в высоком вакууме, переход от физической адсорбции к хемосорбции требует более высоких температур. [37]
Нижний тонкий порядка нескольких десятков или сотен нанометров слой предназначен для создания адгезии между подложкой и расположенным поверх него толстым: ( 102 - 104 нм) слоем хорошо проводящего металла ( Си, Ag, Аи, А1), но неустойчивого против коррозии. Многослойные композиции покрываются сверху обычно никелем или другим устойчн-чивым к воздействию внешней агрессивной среды пленочным материалом. Контакты к пленочным резисторам [52-54] часто делаются двухслойными: верхний слой предназначен для термокомпресснонно-го соединения, а нижний обеспечивает связь с материалом резистора. Для резистора нз нихрома используется подслой хрома. Для резисторов из силицида хрома ( SijCr) или силицида молибдена ( MoSi2) подслоем служит пленка молибдена толщиной 50 нм, создающая хорошую адгезию. Для резисторов из нитрида тантала используются многослойные пленочные композиции: Ti-Аи, NiCr-Аи, NiCr-Pd - Аи, NiCr-Си - Pd-Аи н др. Специфика материаловедения многослойных пленочных систем требует отсутствия взаимной диффузии слоев материалов. Поперечной диффузии свойственны характерные закономерности, связанные с высокой концентрацией избыточных вакансий, возникающей в свежесконден-сированиой пленке и обусловливающей интенсивную диффузию в начальной стадии. Последняя характеризуется запаздыванием в образовании интерметаллическнх соединений. Интенсивность этой стадии зависит от скорости рассасывания первоначальной неравновесной концентрации вакансий до равновесного значения. Если время жизни избыточных вакансий достаточно велико н они достаточно долго задерживаются в объеме блоков-кристаллитов ( прежде чем коагулировать в диски, микропоры, выйти на поверхности нлн осесть на линейный, плоских и объемных дефектах), то происходит нитенснвиая диффузия. [38]
 |
Заннсимость скорости роста пленок карбида молибдена от плотности тона электронного луча. [39] |
Толщина покрытия также окапывает существенное влияние па текстуру осаждаемого молибдена. Существует критическая толщина / i. Следует, однако, отметить, что величина Л, очень сильно зависит от температуры осаждения. Так, при температуре 850 С Л1ф равна 104 А, при 1000 С - 3 - Ю3 А, при 1120 С - 500 А. Так, при температуре 1550 С величина ЛК [) составляет менее 500 А, в то время как при осаждении молибдена на высокодисперсиый подслой окиси магния при этой же температуре подложки даже при толщине пленки порядка 1500 А текстура не наблюдается. Увеличение толщины слоя ведет к совершенствованию текстуры, а при толщинах около 50 мкм осаждающиеся: пленки молибдена имеют высокую степень совершенства текстуры. Покрытия еще большей толщины имеют уже гораздо менее совершенную структуру. [40]
Страницы: 1 2 3