Пленка - германий - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Глупые женятся, а умные выходят замуж. Законы Мерфи (еще...)

Пленка - германий

Cтраница 1


Пленки германия, растущие на плоскостях ( 111) и ( 111) GaAs, имеют плотность дислокаций приблизительно вдвое выше, чем автоэпитаксиальные пленки на германии.  [1]

Разложение катализируется пленкой германия, отложившегося на стенках. Установлено, что разложение моногермана идет по двум параллельным реакциям [58], одна из которых - гетерогенная - идет на стенках сосуда и является преобладающей при пониженных температурах [ 298 - 315 С) и повышенном отношении поверхности к объему, а вторая - гомогенная - идет при повышении температуры и уменьшении отношения поверхности к объему.  [2]

Хаазе [188] выращивал пленки германия на подложках трех типов: 1) протравленных в реактиве СР-4; 2) протравленных и затем подвергнутых ионному травлению и отжигу в вакууме; 3) полученных сколом в вакууме перед осаждением.  [3]

В отличие от относительно совершенных пленок германия на арсениде галлия пленки на кремнии имеют плохую внутреннюю структуру. Об этом свидетельствуют вытянутые полосчатые рефлексы на лауэграммах. Плотность дислокаций и дефектов упаковки в этих пленках превышает 5 - Ю7 и 106 см-2 соответственно. Это нельзя объяснить ни различием периодов решеток, которое в данном случае невелико, ни деформацией в процессе роста. Рибен и др. [107] считают, что причиной искажений является сильное сжатие германиевых пленок при охлаждении. Действительно, судя по лауэграммам, снятым при 350 С, искажения в пленке при этой температуре значительно меньше.  [4]

Адсорбция водорода на пленках германия является активированной, обратимой, диссоциативной и иммобильной. Скорость десорбции Ш с поверхности, полностью покрытой атомами водорода, равна удвоенной скорости разложения германа на той же поверхности и при той же температуре. Определяющей скорость стадией в реакции разложения является поэтому десорбция молекул Hi с поверхности, покрытой монослоем атомов водорода. Если герман разлагается в присутствии дейтерия, то вплоть до завершения процесса не происходит образования молекул HD. После этого легко протекает реакция обмена, скорость которой можно предварительно вычислить на основании скоростей десорбции и изотерм адсорбции. Уменьшение теплоты адсорбции с заполнением, по-видимому, обусловлено индукционными эффектами.  [5]

Катодным распылением успешно получают пленки германия. С помощью катодного распыления получают также слон CdSb, CdS [19] с такой же подвижностью и концентрацией носителей заряда, как и для исходного образца-мншени.  [6]

Для определения мышьяка в пленках германия, последние растворяют в минимальном объеме смеси Н2С2О4 и Н2О2 указанных концентраций при слабом нагревании, отделяют мышьяк от германия соосаждением двуокисью марганца и определяют его, как описано выше.  [7]

8 Кривые изменения скорости роста пленок германия в зависимости от концентрации GeCl4 в водороде при различных tn и на разных гранях монокристаллов германия. [8]

Рассмотрим, как скорость роста пленок германия зависит от условий процесса.  [9]

Дорфман и др. [103] отмечают различие структур пленок германия, полученных при переносе вещества водородом и гелием. В атмосфере гелия грани пирамид матовые, а в водороде блестящие. Это различие, вероятно, связано с разным вкладом обратной реакции травления, которая усиливается в атмосфере инертных газов.  [10]

Таким образом, результаты исследования процесса получения пленок германия восстановлением тетрахлорида германия водородом позволяют сделать вывод о том, что для снижения содержания примесей в осаждаемом материале следует осуществлять процесс при условиях, соответствующих получению пленок с минимумом дефектов кристаллической структуры.  [11]

12 Вольт-амперная ха - ледяной уксусной кислоты и 0 3 см рактеристика p - n - перехода брома. При травлении германии окисляется и переходит в раствор до тех пор, пока толщина пластинок станет. [12]

Таким образом, на основе пластинки л-германия вырастает пленка дырочного германия. К концу рекристаллизации закристаллизовыва-ется чистый индий, и застывшая капля индия играет роль невыпрямляющего контакта с дырочным слоем полупроводника.  [13]

В д шьнейшем при описании свойств и структуры автоэпи-таксиальных пленок германия показывается, что конденсация с одновременным травлением позволяет существенно повысить степень совершенства и качество пленок. Естественно, что газовое травление заметно снижает скорость роста.  [14]

Данный метод предполагает определение бора в германии и пленках германия, напыленных на подложку из кварцевого стекла, кремния или иных материалов, холостая проба с которыми показывает загрязнение бором в меньших или соизмеримых с определяемым количеством бора. Недопустимо загрязнение проб большим содержанием железа, так как его спектральные линии в этом случае могут мешать аналитическим линиям бора.  [15]



Страницы:      1    2    3    4