Пленка - германий
Cтраница 2
Уже в одной из ранних работ [49] были описаны пленки германия с широким диапазоном свойств: р - и п-проводимостями и сопротивлением от 1 - 4 ом-см для чистых слоев до нескольких сотых долей этой единицы измерения для слоев, легированных фосфором или мышьяком. [16]
 |
Схематическое изображение процесса получения сплавного. [17] |
Таким образом, на основе пластинки - германия вырастает пленка дырочного германия. К концу рекристаллизации закристаллизовывается чистый индий, и застывшая капля индия играет роль невыпрямляющего контакта с дырочным слоем полупроводника. Материалом для получения второго ( невыпрямляющего) контакта с п-гер-манием служит олово или золото с небольшим содержанием донорной примеси. [18]
Метод применим для определения мышьяка в германии особой чистоты и пленках германия, легированных мышьяком. [19]
Курвуазье и др. [157] получили путем быстрой конденсации при высокой температуре пленки германия толщиной 10 - 40 мк со значительно более низкой концентрацией носителей ( 3 - Ю1 - 1015 сл-3), имеющих время жизни около 1 мксек. Сопротивление таких пленок равно 3 - 10 ом-см. [20]
После химической полировки плоскости скола ( 110) GaAs выросшие на них пленки германия имеют грубую поверхность. При низких температурах осаждения Ge на GaAs диффузия Ga и As в пленку незначительна. [21]
Исследование кинетики термического разложения германа [1] показало, что поверхностная реакция на растущей пленке германия протекает по нулевому порядку. Энергия активации составляет 41 2 ккал / моль. Дальнейшие работы с дейтерогер-маном, дейтерием и водородом [2] позволили сделать вывод, что герман разлагается на поверхности, полностью покрытой радикалами ОеНж, и скорость реакции определяется десорбцией этих радикалов. [22]
Выше мы уже ссылались на работы [157, 242], в которых таким методом были получены пленки германия с концентрацией носителей на 2 - 3 порядка ниже, чем обычно. [23]
Подводя итоги, можно сделать вывод, что в широком интервале экспериментальных условий роста пленок германия, полученных как испарением, так и распылением, эпитаксиальная температура определяется лишь скоростью роста и давлением газов. [24]
Хамфрис и Кетлин [136] пришли к выводу о влиянии поверхностных уровней на свойства эпитаксиальньтх пленок германия путем косвенных наблюдений. [25]
В настоящей работе обсуждается влияние температуры подложки, остаточного давления в системе на дефектность прилегающей к переходу пленки германия. На рис. 1 представлены основные типы дефектов, наблюдавшиеся в эпитаксиальных пленках германия. Структура, показанная на рис. 1, а, характерна для пленок германия, полученных в вакууме - 10 - 7 торр при 7 480 - 520 С. Применение правила Геверса-Арта - Амелинкса показывает, что преобладают дефекты упаковки вычитания. [26]
В случае анализа пленок 1 мл НС1 ополаскивают подложку, которую вынимают из стаканчика щипчиками из тефлона по окончании растворения с нее пленки германия. Вес растворенной пленки вычисляют по разности весов пленки с подложкой до и после растворения. К сухому остатку прибавляют 4 капли 1 % - iHoro раствора NaCl ( 0 1 мл), который вводят для снижения фона и стабилизации разряда. Остаток снова высушивают, затем прибавляют 1 - 2 капли спирта и тефлоновой лопаточкой переносят из стаканчика на кусочек кальки, а с нее - в кратер угольного электрода. Спирт необходимо прибавлять, иначе осадок трудно снимается со дна и стенок стаканчика. [27]
Цель работы - краткое ознакомление с основными методами напыления поликристаллических пленок, с требованиями, предъявляемыми к полупроводниковым слоям, и с зависимостью свойств слоев от технологии их приготовления; изучение механизма конденсации тонких слоев полупроводников при вакуумном распылении, в частности конденсации пленок германия на изолирующей подложке. [28]
В дополнение к ним в настоящем сборнике приводятся методы масс-спектральный и химико-спектральный, позволяющие определять несколько десятков примесей с чувствительностью от 10 - 5 до 10 - 9 %, некоторые флуориметрические методы ( для Ga и In), а также химические методы определения примесей в пленках германия. Чувствительность последних методов относительно невелика - 10 - 4 %, но они дают возможность анализировать малые количества материала, чем оказываются весьма полезными. [29]
Пленки германия, конденсированные как при автозпитаксии, так и при эпитаксии на чужеродных кристаллах ( в основном на GaF2), обладают неудовлетворительными электрофизическими характеристиками, особенно по таким параметрам, как подвижность носителей тока и время их жизни, по которым конденсированные пленки уступают монокристаллам, выращенным из расплава, и пленкам, полученным при химическом взаимодействии. В ряде работ [64, 136, 143, 151, 152, 163, 171, 172, 178, 199, 203, 217, 218, 242, 247] обнаружено, что независимо от типа проводимости величины электропроводности, количества и характера легирующих элементов в исходном материале как поликристаллические, так и монокристальные пленки германия обладают дырочной проводимостью. [30]
Страницы: 1 2 3 4