Пленка - германий
Cтраница 3
Пленка германия, имевшая удельную поверхность 2 65 104 см2 / г ( измерено по способу БЭТ), была получена путем разложения GeH4 на чистой пирексовой стеклянной вате. [31]
С со скоростью 10 - 20 А / мин. Толщина пленок германия для изучения ТЭМ составляла 0 1 - 0 3 мкм, фольги приготовлялись методом струйного травления GaAs и электролитического утонения пленок Се. С повышением температуры структура пленок упорядочивается, и для 71П480 С и более наблюдается эпитаксиальное наращивание. [32]
 |
Хроматографическое выделение тстраэтил-гер мания. [33] |
Отбор чистого тетраэтилгермания, как это видно из рисунка, проводили даже при неполном разделении псех примесей. Тем не менее пленки германия, полученные из очищенного продукта, имели хррошие. [34]
Стаканчик покрывают крышечкой из тефлона и при нагревании до 60 - 70 С производят растворение германия в течение 10 - 30 мин. В случае анализа пленок германия 1 мл НС1 ополаскивают подложку, которую вынимают из стаканчика щипчиками из тефлона после растворения с нее германия. [35]
При постоянном соотношении GeH4: На скорость роста увеличивается с повышением tu, причем эта зависимость характеризуется энергией активации 47 5 ккал / молъ. В полученных на шпинели пленках германия существуют внутренние сжимающие напряжения значительной величины. [36]
Наиболее прост и технологически управляем процесс получения эпи-таксиальных пленок методом водородного восстановления хлоридов. Такой метод используют для получения высокоомных пленок германия и кремния на монокристаллических низкоомных подложках. [37]
В работе [115] перечислены также некоторые металлические примеси, попадающие в пленку в процессе конденсации. Так, подобные меди примеси, присутствующие в пленках германия, можно удалить из них последующим плавлением конденсата, так как они имеют очень низкий коэффициент сегрегации. В работе [156] спектральным методом в пленках германия были обнаружены кальций и магний. Хотя электрическая активность этих металлов в германии мало изучена, не исключено, что они являются акцепторными центрами. [38]
 |
Зависимость скорости нанесения молибденовых пленок от температуры подложки для различных напряжений смещения на подложке. [39] |
Крикориан и Спид [24] провели прямое сравнение температурных зависимостей пленок германия, полученных как ионным распылением, так и вакуумным испарением, и пришли к заключению, что оба механизма одинаковы. [40]
Таким образом, в ряде случаев удается компенсировать акцепторные уровни, образующиеся в обычных условиях. В этом отношении весьма интересны результаты Сакаи и Такахаси [177], которые легировали пленки германия примесями фосфора, мышьяка и сурьмы. [41]
Требованию бесструктурности различные металлы удовлетворяют в разной степени. Так, дифракционная картина тонкой пленки циркония представляет собой полностью размытое кольцо, пленки германия и хрома - более резкие кольца. Это свидетельствует о том, что кристаллиты циркония, германия и хрома коагулируют в меньшей степени, чем алюминия, вследствие чего у алюминия следует ожидать появления пониженной разрешающей способности по сравнению с перечисленными металлами. [42]
Прежде чем включить нагрев подложек необходимо учесть, что температура горячей части подложек не должна превосходить температуру размягчения стекла. В то же время температура холодного конца должна быть достаточной, чтобы осаждалась свободная от окислов пленка германия. [43]
Конденсацию германия на кристаллах MgO изучили Слупе и Тиллер [164] при tK - 200 - 900 С и УК 30 - 1500 А / мин. Слабая текстура в пленках германия возникает при tK 550 С. [44]
Еще в большей степени на кристаллическую структуру пленок полупроводников влияет температура подложки в момент нанесения на нее слоя. С ростом температуры нагрева подложек может меняться степень совершенства кристаллической решетки пленки, а также ее фазовый состав. В частности, для пленок германия при увеличении температуры нагрева подложки и постоянном потоке атомов к подложке наблюдается переход от аморфной структуры к кристаллической. Этот переход происходит при так называемой температуре эпитаксии и наблюдается на любой подложке. Далее с ростом температуры подложки может меняться ориентация слоев и затем, начиная с некоторой температуры, называемой критической, полностью прекращается осаждение. Знание этих температур и характера изменения структуры пленки очень важно для технологии изготовления пленочных полупроводниковых устройств и получения пленок в исследовательских целях. [45]
Страницы: 1 2 3 4