Задержка - переключение
Cтраница 5
 |
Подключение резисторов к выводам микросхемы для изменения времени задержки в каждой стойке выходного моста. [61] |
Подключение резисторов, необходимых для задания времени задержки в каждой стойке выходного моста, показано на рис. 22.20. Из соотношения для / (22.3.2) следует, что если вывод ADS соединен с GND, то U3 изменяется пропорционально только Ucs что приводит согласно (22.3.1) к уменьшению времени t3 с ростом нагрузки. В этих условиях максимальное значение U3 равно 2 В. Изменение времени задержки переключения транзисторов одной стойки моста, описанное выше, является полезной функцией микросхемы, особенно при больших мощностях в нагрузке. [62]
Счетчики с параллельным переносом состоят из синхронных триггеров. Счетные импульсы подаются одновременно на все тактовые входы, а каждый из триггеров цепочки служит по отношению к последующим только источником информационных сигналов. Срабатывание триггеров параллельного счетчика происходит синхронно, и задержка переключения всего счетчика равна задержке для одного триггера. [63]
В последнее десятилетие широко внедрена в производство технология И2Л, характеризующаяся широким диапазоном изменения задержки переключения и потребляемой мощности. Схемы, выполненные по схемотехнике И2Л, - рассеивают небольшую мощность из-за отсутствия резисторов и обладают высоким быстродействием, обусловленным малыми паразитными емкостями и небольшой разницей логических уровней. Использование диодов Шоттки в схемах И2Л сокращает время задержки переключения до 100 пс. Таким образом, схемы типа И2Л совмещают быстродействие биполярных ИС, малую потребляемую мощность и высокую плотность компоновки, характерные для КМОП и МОП схемотехники. Применение же сапфировой подложки для схем КМОП позволяет повысить быстродействие примерно в два раза. Поэтому в настоящее время осваивается производство все большего числа серий, выполненных по технологии И2Л, которые постепенно вытесняют р - и - МОП серии. Одновременно с совершенствованием разработанных способов реализации ИС идет поиск новых технологий. Так, например, уже имеются образцы микросхем, использующих базовые элементы на основе эффектов Ганна, Джозефсона, обеспечивающие задержки переключения до единиц пикосекунд. Ведутся работы по применению ар-сенида галлия в качестве полупроводникового материала для ИС. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5