Кристаллическая пленка
Cтраница 1
Кристаллические пленки, полученные на стали, чугуне, бронзе, алюминиевом и антифрикционном сплавах, при взаимодействии с присадкой ЦИАТИМ-339 дают примерно одинаковые дифракционные картины. [1]
 |
Зависимость прочности ( 1, и удлинения при разрыве ( 2 от температуры для пленки полпимида VI-5. [2] |
Кристаллические пленки значительно менее эластичны, чем аморфные. [3]
Кристаллическая пленка Кристаллический слои Кристаллическая корка. [4]
Кристаллические пленки, полученные на стали, чугуне, бронзе, алюминиевом и антифрикционном сплавах, при взаимодействии с присадкой ЦИАТИМ-339 дают примерно одинаковые дифракционные картины. [5]
Поли кристаллические пленки, конденсированные при невысоких температурах ( 0 2 - 0 37 пл), содержат практически все известные дефекты кристаллической решетки-точечные, линейные, поверхностные, объемные и являются весьма сложным объектом для структурных исследований. Прогресс в их изучении достигнут благодаря развитию дифракционных методов исследования ( электронографии, рентге-нодифрактометрии) и электронной микроскопии высокого разрешения. [6]
Для поли кристаллических пленок характерна весьма развитая субструктура. Отличительной особенностью тонких ( ft 0 1 мкм) пленок является наличие сильно разориентированных ( до десятков градусов) высокодисперсных блоков ( областей когерентного рассеяния) величиной до 0 01 - 0 02 мкм. [7]
Образование кристаллической пленки дикальцийфосфата при использовании фосфорной кислоты низкой концентрации ( см. рис. IX-16) приводит к низкой ( не более 70 - 80 %) степени использования PsOs фосфата во 2 - й ступени получения двойного суперфосфата поточным методом. [8]
 |
Влияние повторной обработки обоазцов ПК-пленки на их физико-механические показатели. [9] |
Тепловое старение кристаллической пленки ( плотность 1 221 кг / м3) при различных температурах и временах испытания не приводит к заметному изменению тс. Это указывает на то, что в кристаллическом полимере при тепловом старении не происходит каких-либо структурных изменений. [10]
Таким образом, кристаллические пленки создаются не только при нагревании до 140 на свинце, напыленном в глубоком вакууме ( 10 - 5 мм рт. ст.), и на стекле [3], но и на черных металлах. При этом увеличение продолжительности контактирования позволяет получать кристаллические пленки практически при комнатной температуре. [11]
Таким образом, кристаллические пленки создаются не только при нагревании до 140 на свинце, напыленном в глубоком вакууме ( 10 - Г) мм рпг. При этом увеличение продолжительности контактирования позволяет получать кристаллические пленки практически при комнатной температуре. [12]
В светлопольном изображении кристаллической пленки брэгговские пучки обычно отсекаются диафрагмой; следовательно, интенсивность изображения маленького элемента пленки определяетея интенсивностью проходящего пучка на выходной поверхности этого элемента. Подобно этому в темнопольном изображении интенсивность определяется интенсивностью того дифрагированного луча, который может пройти через диафрагму. Уравнение ( 13) связывает интенсивность отражения кристалла с толщиной t и параметром 5афф, учитывающим локальную ориентацию и экстинкционное расстояние. Поля напряжений и дефекты, такие как дефекты упаковки, могут привести к изменению параметра 53фф одного элемента пленки по отношению к соседнему и, таким образом, к локальному изменению отраженных и трансэмиссионных интенсивностей. Контраст, который вызывается такими пространственными изменениями условий дифракции, носит название дифракционного контраста и будет обсуждаться в дальнейшем, в разд. [13]
Рассмотрим процесс возникновения кристаллических пленок на гранях кристаллов сульфата кальция и поверхности частиц апатита. Условием образования таких пленок является создание пересыщения раствора по пленкообразующему веществу. Пересыщение в производственном процессе возникает в результате химической реакции или изменения температуры. [14]
Страницы: 1 2 3 4