Кристаллическая пленка
Cтраница 3
Раствор фильтруют, фильтрат упаривают до образования кристаллической пленки. При охлаждении выпадают кристаллы - их отсасывают. Маточный раствор вновь упаривают и кристаллизуют. [31]
Растворы сливают вместе, упаривают до появления кристаллической пленки и охлаждают. Выпавшие кристаллы отсасывают и высушивают на воздухе. [32]
Раствор фильтруют, фильтрат упаривают до образования кристаллической пленки. При охлаждении выпадают кристаллы - их отсасывают. Маточный раствор вновь упаривают и кристаллизуют. [33]
Растворы сливают вместе, упаривают до появления кристаллической пленки и охлаждают. Выпавшие кристаллы отсасывают и высушивают на воздухе. [34]
На всех рисунках сплошной кривой изображены спектры кристаллических пленок и жидкостей, штрих-пунктирной линией - спектры образцов в вазелиновом масле, штриховой линией - спектры растворов в четыреххлористом углероде. В верхней части рисунков указана шкала длин волн в микронах. Поскольку величина процента поглощения при отсутствии данных о толщине слоя практически бесполезна, мы сочли излишним указывать шкалу на рисунках. Это связано еще и с тем, что в ряде случаев кривые поглощения, полученные при различных условиях, смещены по оси ординат. [35]
В анализе процессов роста полупроводниковых кристаллов и кристаллических пленок из газовой фазы важную роль играет расчет равновесного состава газовой фазы по заданным температуре, давлению и термодинамическим характеристикам соединений, участвующих в процессах. [36]
 |
Теммрпдо шиши мщшых распоров мм ори аямо. [37] |
Поверхность водных растворов солей защищают от появления кристаллической пленки, добавляя в баню 5 - 10 мл парафинового масла. [38]
 |
Зависимость поля насыщения Hs от температуры вблизи точки компенсации ( 7 - КОМп287 К для 3Gd203X X5Fe2O3. [39] |
Для записи информации используют упорядоченную поли - кристаллическую пленку, для кото - рой намагничивание направлено перпендикулярно поверхности. Оптимальная толщина пленки, для которой магнитные домены имеют минимальный размер - порядка 1000 А, - составляет также величину около 1000 А. Минимальный размер доменов обеспечивает максимальную плотность записи информации. [40]
Интересными особенностями обладает рассеяние рентгеновых лучей на двумерных кристаллических пленках. Как было показано в V, § 138, тепловые флуктуации размывают кристаллический порядок в таких системах. Поэтому когерентное рассеяние отсутствует. Вместе с тем, корреляционные функции флуктуации убывают с расстоянием в таких системах по медленному степенному закону. Это приводит к тому, что диффузное рассеяние имеет резкие максимумы в тех направлениях, в которых при Т 0 лежали бы максимумы упругого рассеяния на неразмытой структуре. Аналогичные особенности имеют место при рассеянии на слоистых смектических жидких кристаллах, структура которых также размывается тепловыми флуктуациями. [41]
Фильтрат упаривают, помешивая палочкой, до появления кристаллической пленки. При охлаждении выпадают кристаллы К2СЮ4 - Их отсасывают и проверяют растворимость в воде. Если раствор получается мутный, то полученный препарат перекристал-лизовывают, растворяя 1 вес. [42]
Фильтрат упаривают, помешивая палочкой, до появления кристаллической пленки. Их отсасывают и проверяют растворимость в воде. Если раствор получается мутный, то полученный препарат перекристал-лизовывают, растворяя I вес. [43]
Фильтрат упаривают, помешивая палочкой, до появления кристаллической пленки. При охлаждении выпадают кристаллы КуСгОл. Их отсасывают и проверяют растворимость в воде. Если раствор мутный, то полученный препарат нерекристаллизовывают, растворяя 1 вес. Кристаллы высушивают при 40 - 60 С в сушильном шкафу. [44]
Фильтрат упаривают, помешивая палочкой, до появления кристаллической пленки. Их отсасывают и проверяют растворимость в воде. Если раствор мутный, то полученный препарат перекристаллизовывают, растворяя 1 вес. Кристаллы высушивают при 40 - 60 С в сушильном шкафу. [45]
Страницы: 1 2 3 4