Cтраница 2
В ориентированной вытяжкой кристаллической пленке выше температуры стеклования предел прочности при растяжении уменьшается гораздо медленнее. [16]
В этом случае даже незначительная кристаллическая пленка, возникшая на поверхности стекла, может явиться причиной производственного брака. По-видимому, это обусловлено миграцией кристаллов поверхностной пленки конвекционными потоками ( или размешиванием) по всей стекломассе. Иногда высокотемпературная поверхностная кристаллизация вызывается селективной летучестью компонентов стекла и образованием вследствие этого на поверхности слоя, обогащенного компонентом, входящим в состав выделяющейся кристаллической фазы. [17]
Фильтрат упаривают до образования кристаллической пленки и оставляют стоять на несколько дней. Выпавшие кристаллы KI отсасывают. [18]
Фильтрат упаривают до образования кристаллической пленки и оставляют стоять на несколько дней. [19]
Фильтрат упаривают до образования кристаллической пленки и оставляют стоять на несколько дней. Выпавшие кристаллы KI отсасывают. [20]
Под эпитаксиальной пленкой понимают кристаллическую пленку, структура которой близка к структуре подложки, а ориентация соответствует ориентации последней. Эпитаксиальная технология важна в современной микроэлектронике. [21]
Таким образом, эти присадки образуют кристаллические пленки как на поверхности цветных металлов, входящих в состав антифрикционных сплавов, так и на поверхности стали. Поэтому защитные пленки предохраняют от коррозии не только вкладыши подшипников, как это считают Н. Г. Пучков и В. М. Гаврюхин [5], но и другие детали двигателей. [22]
Таким образом, эти присадки образуют кристаллические пленки как на поверхности цветных металлов, входящих в состав антифрикционных сплавов, так и на поверхности стали. Поэтому защитные пленки предохраняют от коррозии не только вкладыши подшипников, как это считают Н. Г. Пучков и В. М. Гаврюхин [ 51, но и другие детали двигателей. [23]
Раствор сульфата цинка упаривают до образования кристаллической пленки. Их отсасывают и сушат при комнатной температуре на пергаментной бумаге. [24]
Рассматриваются условия роста из газовой фазы кристаллических пленок и кристаллов карбида кремния. Определены различные области условий осаждения и растворения фазовых комплексов; построены границы этих областей для температур из диапазона 900 - 1800 С. Разработана методика, которая может быть использована и для анализа других процессов осаждения полупроводниковых и диэлектрических материалов из газовой фазы. [25]
Отрицательное влияние на кинетику процесса образующихся кристаллических пленок сульфата кальция на зернах фосфата сказывается тем в меньшей степени, чем ниже фактическая концентрация серной кислоты в реакционной смеси. [26]
Минимум скорости разложения связан с образованием кристаллических пленок полугидрата сульфата кальция. Скорость разложения зависит и от соотношения серной и фосфорной кислот в растворе. При уменьшении этого соотношения скорость разложения сначала падает, а потом начинает возрастать. Наблюдаемая зависимость тоже связана с зоной кристаллизации полугидрата кальция. [27]
При температурах осаждения выше 1100 С реализуются отдельные кристаллические пленки, содержащие домены - 60 нм, при более низких температурах получаемая текстура характеризуется гранями, развитыми случайным вращением вокруг A1N [001] - оси, при низких температурах обнаруживает рост островков шириной - 25 нм. [28]
Раствор фильтруют, фильтрат упаривают до образования кристаллической пленки. При охлаждении выпадают кристаллы - их отсасывают. Маточный раствор вновь упаривают и кристаллизуют. [29]
Растворы сливают вместе, упаривают до появления кристаллической пленки и охлаждают. Выпавшие кристаллы отсасывают и высушивают на воздухе. [30]