Стеклообразная пленка
Cтраница 1
Стеклообразная пленка на поверхности полупроводниковых приборов может быть получена при реакции четыреххлористого кремния и озона в условиях электрического разряда или в условиях ультрафиолетового освещения поверхности кремниевого образца. [1]
Для высаживания стеклообразных пленок применяют пленкообразующие растворы, содержащие соединения, разлагающиеся при сравнительно низких температурах. [2]
Если отделить стеклообразную пленку от дисилицида, образование окиси кремния прекращается и при нагревании пленки в ней появляется сс-кристобалит. Нагревание дисилицида молибдена, содержащего избыток кремния против стехиометрического состава, до температуры выше 1600 С сопровождается образованием и последующим испарением окиси кремния, в результате чего поверхностный слой вздувается, образуя пузыри. Если в дисили-циде молибдена не содержится свободного кремния, образуется лишь незначительное количество SiO, которая целиком растворяется в двуокиси кремния и удерживает ее в стеклообразном состоянии без вздутий и пузырей. [3]
Так или иначе, но стеклообразные пленки представляют собой перспективное направление развития теории и техники полупроводников. [4]
Внешний слой автотигля был покрыт тонкой стеклообразной пленкой, состоящей из оксида бора. Послойный анализ продукта карбидизации, выгружаемого в приемник, показал, что его основная часть имеет состав карбида бора. [6]
При температурах выше 1300 С образуется плотная стеклообразная пленка кремнезема, увеличивается масса образцов, скорость окисления невелика и приблизительно равна скорости окисления дисилицида молибдена при этих же температурах. Под пленкой SiO2 WSi2 превращается в W8Si3 с выделением кремния, который диффундирует через стеклообразный слой на поверхности и там реагируете кислородом, образуя новые порции двуокиси кремния. [7]
Скорость закалки 1010К / с достигается в стеклообразной пленке 8 толщиной 0 15 мкм [ 19, с. В этом случае достигается максимально возможное для компактного вещества отношение площади его поверхности к объему. [8]
Он утверждает, что в этом случае на катодной поверхности присутствует стеклообразная пленка, которая возникает за счет процесса электроосаждения. В том случае, когда сталь не контактирует с катодными металлами, осаждение пленки происходит на локальных катодных участках. Рейстрик [92] обнаружил, что удаление катода из ячейки ( в которой в качестве ингибитора использовался калгон) и последующая его очистка приводили к увеличению тока гальванической пары. Этого не наблюдалось, однако, при зачистке анода, что может служить дополнительным аргументом в пользу катодного контроля. Ламб и Элиассен [93] предполагают, что, несмотря на то, что полифосфаты являются главным образом катодными ингибиторами, они могут также оказывать влияние и на анодную реакцию. Ими было показано, что обнаруживаемая на катоде пленка содержит железо, кальций и фосфат и что железо играет положительную роль в торможении коррозии полифосфатами. Манса и Цибальский [94] исследовали влияние калгона на потенциалы электродов в ячейке дифференциальной аэрации. При этом было установлено, что потенциал катода уменьшается за счет адсорбции ингибитора, которая затрудняет также доступ кислорода к поверхности. Что касается потенциала анода, то он при этом увеличивается, поскольку калгон препятствует истощению кислорода у анода. Таким образом, в результате обоих этих эффектов, а также в связи с увеличением внутреннего сопротивления ячейки, возникающего за счет образования слоев калгона и продуктов коррозии с низкой электропроводностью, коррозионный ток уменьшается. [9]
Вместе с тем, важно не перегреть подложку, чтобы вместо стеклообразной пленки не получить в случае легкокристаллизующихся стекол пленку кристаллическую. Важная задача технолога - получение пленки заданного состава, как правило, идентичного ( или близкого к нему, но обязательно воспроизводимого) исходному стеклообразному веществу. [10]
 |
Схема установки катодного распыления. [11] |
Разлагающиеся в плазме хлориды вступают в химическую реакцию с образованием, например стеклообразной пленки в системе Ge-Se, применяемой в качестве высокочистого ИК-волновода. [12]
Для защиты полупроводниковых приборов и пленочных схем от воздействия внешней среды наиболее часто применяют напыленную двуокись кремния и стеклообразные пленки. [13]
Это означает, что можно получать как негативное, так и позитивное изображение, для чего необходимо ввести только одну несложную, технологическую операцию - термообработку напыленной стеклообразной пленки для перевода ее в кристаллическое состояние, мейее прозрачное для световых лучей. Запись информации в виде аморфных пятен на кристаллической пленке - процесс значительно более быстрый, нежели обратное превращение аморфного участка в кристаллический. [14]
Гомополимеры ацетилацетонатов металлов получают нагреванием мономерных хелатов в растворителях, представляющих собой органические кислород - или азотсодержащие соединения со свободной парой электронов на указанных атомах. Получают твердые стеклообразные пленки, после отжига которых образуются тонкие пленки металлов или их окислов, применяющиеся в электронной технике. [15]
Страницы: 1 2 3