Cтраница 3
Силициды хрома не образуют при нагревании на воздухе газостойких плотных пленок, в противоположность силицидам молибдена и вольфрама. Образующиеся на сплавах этой системы пленки нетермоустойчивы, при нагревании они деформируются. Это объясняется образованием SiO2 и CrsO3, которые не дают стеклообразных пленок. Окись хрома нелетуча и трудно спекается. Это и обусловливает сравнительно большую окисляемость сплавов Cr-Si при нагревании на воздухе. [31]
Твердосплавные пластинки после шлифования абразивным инструментом перед пайкой обезжиривают в кипящем 10 % - ном растворе кальцинированной соды с последующей промывкой в теплой воде. После этого пластинки подвергают в течение 10 мин кипячению в 20 % - ном растворе, состоящем в равном соотношении из необезвоженной буры и необезвоженного фтористого калия. Вынутые из этого раствора пластинки после сушки в шкафу покрывают тонкой стеклообразной пленкой флюса, что предохраняет их от окисления при нагреве до пайки и в процессе пайки. [32]
Теплоизоляционную пленку из фосфатов алюминия, обладающую высокой поглощающей способностью в инфракрасной области, предложено [28] получать на алюминии и его сплавах. Способ рекомендуют использовать для обработки тары из листового алюминия, предназначенной под замороженные продукты. Сажа с размером частиц 100 - 260 А вводится в раствор в виде водной суспензии из расчета: 1 вес. В результате образуется стеклообразная пленка с равномерно распределенными в ней частицами газовой сажи. Обработанную поверхность в заключение сглаживают пропусканием через вальцы. [33]
Пленки SiQ2, используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образующиеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов ( если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации); микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии ( захвата) газов, а также при слиянии точечных дефектов ( вакансий) в кластеры. Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [34]
Пленки Si02, используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образующиеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов ( если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации); микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии ( захвата) газов, а. Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [35]
Сечение шнура практически линейно зависит от тока. Время восстановления пороговых параметров после снятия напряжения определяется восстановлением однородности образца и является линейной ф-цией расстояния между электродами. Для образцов длиной - 0 5 мкм и сечением 10 - 10 см2 это время сравнимо со временем переключения. Энергия, затрачиваемая ва переключение таких образцов, может достигать 10 - 15 Дж при Т 300 К. Уменьшение Vn в течение первых переключений обусловлено несовершенством стеклообразных пленок и контактов. [36]