Cтраница 1
Тонкие пленки металлов ( цинк, алюминий, их сплавы), нанесенные на строительные металлоконструкции газопламенным, электродуговым или плазменным напылением, называют металлизационными покрытиями. Предусматривают эти покрытия в тех случаях, когда объекты необходимо защитить на срок, существенно больший, чем это можно. Полагают, что срок службы цинковых покрытий в обычной атмосфере - до 30 лет, а алюминиевых - до 50 лет. [1]
Тонкие пленки металлов и диэлектриков находят самое широкое применение в оптическом производстве. Однослойные и многослойные покрытия из различных диэлектриков с высокими и низкими значениями коэффициента преломления применяются для увеличения или уменьшения отражательной способности металлических и стеклянных поверхностей. Многослойные просветляющие покрытия с использованием различных комбинаций таких диэлектриков, как ТЮ2, SiO2, CaSiO3, ThO2, A12O3 и др., уменьшают коэффициент отражения почти до нуля и одновременно обеспечивают эффективное пропускание света в различном и достаточно широком диапазоне длин волн. [2]
Химическое осаждение тонких пленок металлов ( толщиной в несколько сотен ангстрем) на гладкой поверхности стекла имеет целый ряд особенностей, отличающих его от осаждения сравнительно толстых ( несколько микрон) покрытий на металлы и шероховатые поверхности диэлектриков. Эти особенности в литературе практически не освещены, что безусловно затрудняет химическое получение тонких пленок и их использование в технике. [3]
![]() |
Схема электропограммы. [4] |
При исследовании тонких пленок металлов методом прохождения электронов иногда также обнаруживалась картина, характерная для некоторых органических веществ с открытой углеродной цепью. В зависимости от величины кристаллов, эта картина имела кольцевой или точечный характер. [5]
Своеобразие химического осаждения тонких пленок металлов на диэлектрики не исчерпывается особенностями их получения. Отличительной чертой образования пленок из растворов I и II является т, что оно происходит в таких условиях, когда вследствие малой концентрации максимально достижимый поток ионов восстанавливаемых металлов к каталитической поверхности значительно меньше соответствующих диффузионных потоков других компонентов. Однако это обстоятельство само по себе еще Не дает оснований шлагать, что скорость процесса всегда лимитируется доставкой ионов металла в зону реакции, хотя такая возможность и не исключена. [6]
![]() |
Функциональные генераторы Ганна.| Аналого-цифровой преобразователь Ганна. [7] |
В микроэлектронике широко применяются тонкие пленки металлов и диэлектриков. При переходе к тонким пленкам возникают новые явления и закономерности, не проявляющиеся в массивных образцах и структурах. Для пленок типична возможность создавать управляемые эмиссионные токи, аналогичные токам в вакууме. При контакте неметаллического твердого тела с металлом, обладающим меньшей работой выхода, приконтакт-ная область обогащается свободными носителями заряда, эмит-тированными из металла. В массивных образцах эти узкие приконтактные области повышенной электропроводимости не влияют на токовый режим, определяемый концентрацией свободных носителей заряда в объеме тела. В тонких же пленках эмиттированные носители заряда могут доминировать во всем объеме, определяя закономерности токовых явлений. [8]
![]() |
Функциональные генераторы Ганна, воспроизводящие профиль поперечного сечения образца.| Аналого-цифровой преобразователь Ганна. [9] |
В микроэлектронике широко применяются тонкие пленки металлов и диэлектриков. При переходе к тонким пленкам возникают но-ные явления и закономерности, не проявляющиеся в массивных образцах и структурах. Для пленок типична возможность создавать управляемые эмиссионные токи, аналогичные токам в вакууме. При контакте неметаллического твердого тела с металлом, обладающим меньшей работой выхода, приконтактная область обогащается свободными носителями заряда, эмиттированными из металла. В массивных образцах эти узкие приконтактные области повышенной электропроводимости не влияют на токовый режим, определяемый концентрацией свободных носителей заряда в объеме тела. В тонких же пленках эмиттированные носители заряда могут доминировать во всем объеме, определяя закономерности токовых явлений. [10]
Источником дополнительных потерь является тонкая пленка металла с высоким удельным сопротивлением ( например, никель, хром, титан, тантал и др.), которая применяется для улучшения адгезии при тонкопленочной технологии. [11]
Он обнаружил, что тонкие пленки металла обладают преимущественной ориентировкой, а иногда оказываются монокристаллическими. [12]
![]() |
Вакуумное напыление тонких металлических пленок. [13] |
Существуют различные методы получения тонких пленок металла. Одним из таких методов является вакуумное напыление тонких покрытий, толщина которых колеблется от 0 01 до 0 5 мкм при нанесении благородных металлов ( золото, серебро, платина) и до 75 мкм при нанесении покрытий из цинка, кадмия, меди. [14]
В графеконе мишень состоит из тонкой пленки металла па основе в виде мелкоструктурной металлич. Записывающий прожектор и его отклоняющая система расположены со свободной от диэлектрика стороны мишени, считывающий со своей отклоняющей системой - с другой. Перед записью в результате предшествующего считывания открытая поверхность диэлектрика приобретает потенциал, отличный от потенциала металлич. [15]