Тонкая пленка - металл
Cтраница 3
Прямым подтверждением большой вероятности реакции ( 10) на металлах является обнаруженное при эксперименте увеличение электропроводности тонких пленок металла при адсорбции на них воды. [31]
Термическое вакуумное испарение материала в сочетании с последующим электрохимическим наращиванием проводящего слоя, при котором напыляют тонкую пленку металла, толщина которого увеличивается электрохимическим наращиванием, сочетает хорошую адгезию, достигаемую при термическом вакуумном испарении, с высокой электропроводностью толстого проводника, полученного гальванопластикой. [32]
Вывод о зарождении пор на границах элементов структуры был подтвержден экспериментально Вилсдорфом с сотрудниками [397] прямыми наблюдениями деформации тонких пленок металлов непосредственно в высоковольтном электронном микроскопе. [34]
Из рис. 8 следует, что кривые перенапряжения водорода, снятые на железных катодах, поверхность которых покрыта тонкой пленкой металлов, имеющих более низкое перенапряжение водорода, чем железо ( вольфрам, ванадий, молибден), могут быть отнесены к переходному типу кривых перенапряжения водорода, примером которых является приведенная на рис. 7 кривая перенапряжения водорода, снятая на железном катоде, поверхность которого покрыта тонкой пленкой платины. [35]
При соединении пайкой детали из керамики с другими деталями керамику предварительно металлизируют, для чего на нее сначала наносят тонкую пленку металла или сплава, а затем обжигают при высоких температурах. Например, сначала керамику покрывают мелкозернистым молибденовым порошком с добавлением нескольких процентов железа и спекают в водороде при 1400 С. [36]
С моей точки зрения, важность этой работы для биологии сравнима со значением для физики знаменитых экспериментов Резерфорда по пропусканию а-частиц через тонкую пленку металла, которые привели к солнечной модели атома. [37]
Видроу в 1962 г. Один вариант мемистора представляет собой сопротивление, погруженное в электролитический раствор, величина сопротивления изменяется путем электролитического осаждения или удаления с сопротивления тонкой пленки металла. Другим вариантом является оптический мемистор, в котором в зависимости от толщины осажденной пленки варьируется интенсивность проходящего через него светового потока. [38]
Эта мишень представляет собой тонкий лист слюды, на одну сторону которого наносится креолит, обладающий высоким коэффициентом вторичной эмиссии ( креолит является диэлектриком), на другую сторону наносится тонкая пленка металла, которая называется сигнальной пластиной. Элементарные конденсаторы образуются между сигнальной пластиной и слоем креолита. Коммутатором является безынерционный электронный луч. Образование потенциального рельефа происходит за счет фотоэмиссии. [39]
Когда оптические системы были разработаны для условий производства эмульсионных фотошаблонов и фоторезистов с высокой разрешающей способностью, естественно, стали задумываться о создании фотошаблонов, в которых рисунок был бы вытравлен в тонкой пленке металла. В опубликованных работах в значительной степени все сводилось к применению для этих целей хрома, хотя это и не единственный металл, который имеет хорошую адгезию и дает высокопрочные пленки. [40]
При скольжении керамических материалов в контакте с металлами последние в результате трения переносятся на поверхность керамики, в связи с чем в этом случае поведение материалов при трении определяется взаимодействием металла с тонкой пленкой металла или его окисла. Образование смешанных окислов благоприятной структуры может повысить износостойкость керамического материала. [41]
Установка состоит из следующих элементов: 1) вакуумной части, позволяющей создавать в рабочей камере исходное давление порядка 10 - 5 - 10 - 6 тор и осуществлять нанесение испарением в вакууме тонких пленок металлов на кристалл кварца; 2) электронной части, предназначенной для возбуждения колебаний кварцевого кристалла и измерения снижения резонансной частоты при изменении его массы; 3) дозаторов для создания в рабочей камере нужной кор-розионно-активной среды. [42]
 |
Структура интегральной схемы. [43] |
Интегральная схема может быть упрощенно представлена в виде параллелепипеда полупроводникового монокристалла ( обычно кремния) малого размера, который содержит легированные области разного типа проводимости и на поверхности которого нанесены в виде определенного геометрического рисунка тонкие пленки металлов и диэлектриков. [44]
Для получения тонкой фольги из золота, серебра, медн, никатя и их сплавов применяется такой способ: на предварительно хорошо отполированную, обезжиренную и отмытую ленту или листы из нержавеющей стали ( 18 %, Сг; 8 % Ni) осаждается тонкая пленка желаемого металла. [45]
Страницы: 1 2 3 4