Cтраница 2
Название толстые пленки относится в большей степени к методу их получения, чем к толщине самого слоя. [16]
![]() |
Проекция изоэнерге-тических эллипсоидов на плоскость ( 111 для РЬТе. [17] |
Для толстых пленок температурные зависимости коэффициентов Холла Л, термо - ЭДС а, поперечного ЭНЭ Q при концентрациях пх 6 - 1016 - - 4 - Ю17 см 3 ( пх определялась из R при 4 2 К) показаны на рис. 3.8, а - в. [18]
Для толстых пленок температурные зависимости коэффициентов Холла Л, термо - ЭДС а, поперечного ЭНЭ Q при концентрациях пх 6 - 1016 - - 4 - Ю17 см 3 ( пх определялась из R при 4 2 К) показаны да рис. 3.8, а - в. [20]
Размер толстых пленок определяется при помощи микрометра, микроскопа, весовым и другими способами. [21]
Для толстой пленки характерно, что все ее экстенсивные свойства аддитивно складываются из их значений для внутренней фазы ( у) и поверхностных слоев. Это значит, что толщина пленки настолько велика, что влиянием фазы ( а) на поверхностный слой ( Ру) и фазы ( р) на поверхностный слой ( ау) можно пренебречь. При уменьшении толщины пленки и сближении поверхностных слоев это условие нарушается, появляется потенциальная энергия взаимодействия поверхностных слоев, которую нельзя приписать ни одному из них в отдельности. Такую пленку, для которой условие аддитивности энергии уже не выполняется, будем называть тонкой пленкой. [22]
Для толстой пленки этот подход сводится к рассмотрению трехфазного равновесия с двумя поверхностями разрыва, а для тонкой - к учету взаимодействия поверхностных слоев пленки. Каждый из указанных подходов, являясь вполне строгим и общим, обладает своими удобствами. Второй подход более детален и дает простор для модельных расчетов, но более громоздкий и достигает границ применимости, когда расстояние между разделяющими поверхностями обращается в нуль. [23]
Применение толстых пленок для получения наружного слоя коммутации в гибридных БИС позволяет комплектовать их многовыводными ( более 4 - х) полупроводниковыми ИС с проволочными, паучковыми, балочными выводами. [24]
Для толстых пленок и малых скоростей газа, характеризующихся волнами большой амплитуды, зависимость эквивалентной шероховатости от толщины пленки в форме e / d f ( б), по данным Недермана ( рис. 4.31), имеет линейный характер. [25]
![]() |
Схема установки трафаретной печати.| Схема конвейерной печи для вжигаиия толстопленочных ИС ( а и один из примеров температурного режима обжига ( б. [26] |
Нанесение толстых пленок производится в следующей последовательности: нанесение паст на подложку через сетчатый трафарет, сушка, вжигание паст. Подложка удерживается в столике вакуумной присоской. Рама устанавливается над столиком так, чтобы между подложкой и сетчатым трафаретом создавался равномерный зазор 0 3 - 1 мм. Касание трафарета с подложкой происходит только под лезвием ракеля. При перемещении вдоль трафарета ракель подает пасту, продавливает ее через сетку и срезает излишнюю часть пасты. Лезвие ракеля изготовляется из пластического материала - полиуретана или фторкаучука. [27]
У относительно толстых пленок ( 5000 - 10 000 А) наблюдается самопроизвольное отслаивание или даже разрыв пленки, указывающий на то, что она находится в сильно напряженном состоянии. [28]
Существование толстой пленки гелия на всех поверхностях, находящихся в контакте с жидкостью, заставляет, естественно, решать вопрос о причине происхождения пленки. Как нами уже отмечалось в предыдущем разделе, два типа существующих теорий объясняют это явление либо как простую адсорбцию, либо прямо связывают его с Х - переходом. [29]
Существование толстой пленки гелия на всех поверхностях, находящихся и контакте с жидкостью, заставляет, естественно, решать вопрос о причине происхождении пленки. Как нами уже отмечалось и предыдущем разделе, два типа сущестнующих теорий объясняют это явление либо как простую адсорбцию, либо прямо связывают его с Х - переходом. [30]