Cтраница 2
Поэтому общее решение для изолирующей пленки, полученное при помощи как диодной, так и диффузионной теории, описывает более слабо выраженное выпрямляющее действие; кроме того, теория не приводит к насыщению тока в запирающем направлении. [16]
Как уже отмечалось выше, изолирующая пленка может быть получена непосредственно из самого полупроводника, что должно устранить вредную границу раздела. В этом случае возможны два механизма инжекции: туннелирование дырок из металла через тонкую изолирующую пленку или инжек-ция дырок из электронно-дырочной плазмы, созданной ударной ионизацией электронами, проникшими через изолирующий слой. Последний механизм обусловливает, видимо, интенсивную люминесценцию, наблюдавшуюся у теллурида цинка. [17]
Свойства дискретных конденсаторов на основе полимерных пленок. [18] |
Вследствие этого основным способом получения полимерных изолирующих пленок является взаимодействие мономеров или полимеров с низкими молекулярными весами в газообразном состоянии с твердой поверхностью под действием какого-либо вида энергии. Различные варианты этого способа могут быть классифицированы следующим образом [11]: 1) газовый разряд; 2) электронная бомбардировка; 3) фото-лип; 4) пиролиз. [19]
Тонкопленочный транзистор. [20] |
На готовые тонкопленочные элементы напыляют изолирующую пленку SiO, герметически покрывающую всю схему. [21]
Процесс записи при помощи фотопроводящего термопластичного материала. [22] |
Эффект взаимодействия электростатических зарядов с изолирующими пленками давно пытались использовать для получения изображения. [23]
Этот продукт, изготовленный в виде изолирующей пленки, обозначается как опаноль С. Он весьма пригоден для применения в высокочастотной технике вследствие незначительных диэлектрических потерь. Удельное сопротивление равно примерно 1015 ом см; пробивное напряжение велико. [24]
Выпарной аппарат с горизонталь - условия КОНВ6КЦИИ. Этот ВИД про-ными трубками. цесса кипения называется пузыр.| Коэффициент теплоотдачи ( 7 if. [25] |
Следовательно, вся поверхность будет покрыта изолирующей пленкой пара, которая составляет основное сопротивление теплоотдаче. [26]
Красная закись меди обычно бывает покрыта черной изолирующей пленкой окиси меди СиО, которую снимают, например, кислотой. [27]
В случае, когда начинается процесс разрушения изолирующей пленки, слой ГФГ в обсыпке оказывает существенное влияние на коррозию. [28]
Через 100 ч экспозиции на свободной от изолирующей пленки поверхности было обнаружено равномерное подтравливанме стали, аналогичное наблюдаемому в очаговых зонах разрушения магистральных газопроводов по причине КР. При этом под отслоившейся изоляцией наблюдалось подтравливание стали, аналогичное наблюдаемому при 100-часовой экспозиции. [29]
Зависимость туннельного тока между А. и РЬ через пленку А1. Ог от напряжения.| Зависимость относительной проводимости, соответствующей кривой 3 на 24, ( dJ / dU s / ( dJ / dL. от напряжения. [30] |