Изолирующая пленка

Cтраница 4

В случае тонкопленочных конденсаторов выход определяется, главным образом, качеством изолирующей пленки. Как показано ранее, электрическая прочность большинства изолирующих пленок и отсюда напряжения пробоя тонкопленочных конденсаторов зависят от природы и плотности дефектных областей в диэлектрике. Так как пробой во время электрических испытаний обычно происходит в диэлектрической пленке по точечным дефектам, которые характеризуются большими токами утечки, выход годных конденсаторов может быть определен по результатам измерений юное утечки при испытательном напряжении, превышающем рабочее напряжение. [46]

Двухслойная коммутация с изоляцией в местах пересечений.| Двухслойная коммутация со сплошным слоем изоляции и окнами в изоляции в местах перехода со слоя на слой. [47]

Целесообразно проводить и сглаживание рельефа нижнего слоя металлизации для сглаживания рельефа изолирующей пленки. [48]

Искажения выходного сигнала модулятора, вызванные загрязнением контактов. [49]

Кроме того, контактное сопротивление зависит от наличия на поверхности контакта изолирующей пленки, которая может быть образована за счет двух процессов: адсорбции на поверхности контакта и химических процессов. Поверхностные пленки возникают уже при нормальной температуре. [50]

Стадии процесса изготовления кремниевых транзисторных плат. [51]

Создание необходимого количества таких участков нужной конфигурации в сочетании с нанесением металлических и изолирующих пленок, обеспечивающих соединение или изоляцию отдельных элементов, позволяет получить необходимые для работы микросхемы структуры ( диоды, транзисторы и другие элементы) и соединить их между собой в соответствии с заданной принципиальной электрической схемой. [52]

Пудра, нанесенная на модель, должна представлять собой как бы изолирующую пленку, не допускающую непосредственного соприкосновения поверхности модели с влажной формовочной землей. [53]

Наиболее распространенным способом защиты металлов от коррозии является нанесение на их поверхность изолирующих пленок. [54]

Подложки из анодированного алюминия должны иметь атомарно-гладкую поверхность, высокое электрическое сопротивление изолирующей пленки ( 1012 Ом-см), температурный коэффициент линейного расширения близким к ТКЛР осаждаемых пленок, высокую стойкость к термоударам, минимальную пористость и не выделять газ в вакууме. Снижение пористости в оксидной пленке достигается путем гидратации ( кипячение в воде), промьшкой в этиловом спирте с последующим кипячением, термообработкой в вакууме. [55]

Жидкость, в виде струи попадая на поверхность отрезаемого металла, образует изолирующую пленку, более тонкую на выступах, чем во впадинах, следовательно, сопротивление пленки на выступах меньше, и она в этом месте разрушается. [56]

Окисляя затем пластинку при высокой температуре, на поверхности эпитаксиального слоя формируют изолирующую пленку двуокиси кремния. Далее в пластинке формируют участки проводимости разных типов. Для этого сначала в пленке двуокиси кремния с помощью фотолитографии образуют окна. Суть фотолитографии заключается в проектировании на кремниевую пластинку, предварительно покрытую светочувствительным полимером - фоторезистом, требуемого рисунка. После проявления этого рисунка в слое фоторезиста образуются окна, через которые и производится травление пленки двуокиси кремния. Отверстия в этой пленке используются для проведения диффузии в эпитаксиальный слой примесей р - или п-типа. [57]

Графит имеет высокую температуру плавления и не образует твердых окислов, не имеет изолирующих пленок. Не образует мостиков и игл. Его недостатком является низкая механическая прочность, способность расслаиваться. Удельное электрическое сопротивление графита падает с повышением температуры. [58]

Структуры диффузионного резистора и пленарного транзистора в полупроводниковой ИС. [59]

С в атмосфере кислорода или водяного пара, на поверхности эпитаксиального слоя формируют тонкую изолирующую пленку двуокиси кремния. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5