Тонкая металлическая пленка
Cтраница 4
Структура, а следовательно, и физические свойства тонких металлических пленок, полученных одним из рассмотренных выше методов, в большинстве случаев существенно отличаются от структуры и физических свойств одинаковых по названию массивных металлов. [46]
Возможность обнаружения окисла зависит также от соотношения толщин тонкой металлической пленки и образовавшегося слоя окисла. Если толщина слоя окисла будет значительно меньше толщины тонкой металлической пленки, то обнаружение слоя окисла оптическим методом будет практически невозможным. Для решения поставленной задачи толщина слоя окисла должна быть, по крайней мере, одного порядка с толщиной тонкой металлической пленкио. Последнее возможно для пленок, имеющих толщину порядка 150 А и меньше. [47]
Хорошо установлен тот факт, что электрические свойства тонких металлических пленок очень сильно отличаются от свойств массивных металлов. [48]
Электрические переходы металл - полупроводник формируются вакуумным напылением тонкой металлической пленки на тщательно очищенную поверхность полупроводника. [49]
 |
Электронограмма [ IMAGE ] Электронограмма. [50] |
Совершенно такая же картина получается, если через тонкую металлическую пленку пропускать пучок электронов: рассеянные электроны дают на фотографической пластинке систему интерференционных колец. [51]
Испаряющийся металл осаждается на поверхности деталей, образуя тонкую металлическую пленку. [52]
Для покрытия пластмасс, стекол и других материалов тонкими металлическими пленками и вакуумной очистки металлов используется метод вакуумного испарения. В качестве материалов нагревательных элементов нашли применение графит, карбиды и бориды тугоплавких металлов. В некоторых случаях нагреватели изготавливаются из карбида титана, который хорошо удовлетворяет требованиям к материалам нагревательных элементов: хорошая электропроводность, коррозион-но - и окалиностойкость, механическая прочность и сопротивление термоудару, нерастворимость в расплавленном металле и смачиваемость им. [53]
Внутренняя поверхность втулки и наружная - стержня покрыты тонкой металлической пленкой. На внутренней поверхности втулки нарезается четырехзаходная резьба с шириной нитки 2 6 мм, а на наружной поверхности стержня - трехзаходная с такой же шириной нитки. Резьба прорезается на глубину, несколько превышающую толщину металлической пленки. Концы образованных таким путем винтовых проводников соединяются во втулке так, чтобы получить две бифилярные обмотки. На эти обмотки, аналогично тому, как это делается в Индук-тосине, подаются напряжения: одно пропорциональное синусу, второе - косинусу. Из трех обмоток стержня средняя заземляется. Как и в ранее описанных устройствах, перемещением салазок вместе со стержнем в обмотках последнего наводятся синусоидальные напряжения, сдвинутые в двух крайних обмотках по фазе. Выходной сигнал, возникающий в результате сопоставления напряжений крайних обмоток, характеризует точное перемещение. [54]
Первое экспериментальное подтверждение этих теорий было получено на тонких металлических пленках. В работе [414] в тонких пленках сплава золото - палладий был обнаружен логарифмический рост сопротивления с понижением температуры. [56]
 |
Зависимость скорости гидри - g о. [57] |
Чистые, специально обезгаженные металлы ( в том числе тонкие металлические пленки, нанесенные на стекло), каталитически совершенно неактивны по отношению к гидрированию этилена в присутствии никеля, меди, железа, платины, палладия и вольфрама. Пленки тех же металлов с точно дозированным количеством газовой примеси своеобразно изменяют каталитическую активность: в зависимости от содержания захваченной примеси ( рис. 21) активность пленок проходит через резкий максимум. [58]
Исследование вопросов, связанных с прохождением горячих электронов через тонкие металлические пленки, привлекает все большее внимание в связи с возможностью разработки на этой основе активных пленочных элементов. [59]
В пленарных структурах микросхем внутрисхемные соединения выполняют с помощью тонких металлических пленок, наносимых на изолирующий слой двуокиси кремния. Процесс создания внутрисхемных соединений называется металлизацией. Тонкая металлическая пленка, которая используется в качестве проводников внутрисхемной коммутации, должна обладать следующими свойствами: обеспечивать невьщрямляющий контакт с полупроводником, иметь хорошую адгезию с кремнием и двуокисью кремния и низкое удельное сопротивление, давать возможность присоединения выводов микросхемы. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5