Плоскость - пленка
Cтраница 1
Плоскость пленки в фотоаппарате должна быть параллельна плоскости движения, чтобы предотвратить неодинаковое увеличение различных частей фотоснимка. Если для выполнения последующих абсолютных измерений фотографируются некоторый масштаб, то он должен быть расположен в той же плоскости, в которой происходит движение, чтобы перспективные искажения были минимальны. [1]
В плоскости пленки прикладывается магнитное поле порядка 104 а / м как во время процесса конденсации, так и при охлаждении элемента до комнатной температуры. Комбинация нагрева стеклянной подложки при конденсации и действия магнитного поля обусловливают предпочтительное расположение осей намагничивания, а также сохранение состояния насыщения и при снятии внешнего, поля. Большая остаточная намагниченность ( несмотря на незамкнутость магнитной цепи) связана с малой величиной размагничивающего поля ввиду чрезвычайно большого отношения длины пленки к ее толщине. [2]
 |
Фотоаппарат Старт. [3] |
Если на плоскости пленки изображение предмета получается перевернутым, то рассматриваемое через окуляр и пента-призму изображение будет прямым, что как раз очень удобно для визирования и фокусирования изображения по матовому стеклу. [4]
 |
Распределение намагниченности в 180-градусной стенке Нееля в ферромагнитной пленке. [5] |
Намагниченность вращается в плоскости пленки. [6]
 |
Элемент на тонкой магнитной пленке. [7] |
При этом в плоскости пленки создаются две взаимно перпендикулярные оси - ось предпочтительного ( легкого) намагничивания и ось тяжелого ( трудного) намагничивания. Ось легкого намагничивания образуется в направлении приложенного при изготовлении поля7 при этом вектор намагниченности пленки устанавливается параллельно этой оси. [8]
 |
Доменные структуры ТМП различной толщины А при различных значениях фактора качества q. [9] |
Коэффициенты размагничивания в плоскости пленки оказываются на несколько порядков меньше, чем в направлении нормали пленки. [10]
В чистоэлектронной системе телекинопроекции полурастры в плоскости пленки образуются путем проекции их непосредственно с экрана развертывающей трубки. В этом случае оптическая система состоит из одного объектива, на светосилу которого не накладывается дополнительных по сравнению с диапередатчиком ограничений. [11]
Причем плоскости ( 111) параллельны плоскости пленки. Не наблюдалось никаких субзеренных структур, связанных с небольшой разориентацией, хотя некоторые границы зерен присутствуют. Кроме того, по данным этих авторов, границы лерен разделены интервалами, большими микрона, так что в таких интервалах должно находиться очень много межкристаллитных границ. Поэтому большинство кристаллитов должно соединяться друг с другом строго ориентированно. [12]
Оси 1 и 2 лежат в плоскости пленки. Ось 3 перпендикулярна плоскости пленки и является осью поляризации. Измерение пьезомодулей можно осуществлять, используя как прямой, так и обратный пьезоэффект, так как пьезоэлектричество характеризуется однозначным соответствием прямого и обратного эффектов. Измерения при синусоидальной растягивающей нагрузке более надежны, поскольку в этом случае исключаются эффекты, связанные с ползучестью и релаксацией механических напряжений. Значение растягивающего усилия FJ ( / 1 2) выбирают так, чтобы между механическим напряжением Z / и плотностью электрического заряда была линейная зависимость. [13]
Кроме обычной ориентации осью С, приблизительно перпендикулярной плоскости пленки, в пленках ZnO, полученных ионным распылением, наблюдается ориентация, при которой ось С или не совпадает с нормалью к пленке, пли лежит в плоскости пленки. Однако контроля за углом наклона недостаточно для того, чтобы получать пленки с ориентацией, оптимальной для возбуждения волн сдвига в пьезоэлектрических преобразователях. Ориентация осью С в плоскости пленки, имеющая место в ZnO, в пленках CdS вообще не наблюдалась, и причины ее появления в настоящее время не совсем понятны. Такая ориентация наблюдалась в пленках толщиной от 0 25 до 4 мкм, полученных трехэлектродным ионным распылением, и, по-видимому, присуща процессу зародышеобразования, а не процесс / роста. При осаждении в потоке, падающем перпендикулярно подложке, оси С отдельных кристаллитов беспорядочно распределены в плоскости пленки, а при напылении в наклонном потоке оси С выстраиваются в плоскости пленки по направлению в сторону мишени. [14]
 |
Определение глубины залегания скрытого дефекта при стереосъемке проходящими лучами.| Определение глубины залегания скрытого дефекта методом съемки на две пленки. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5