Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Демократия с элементами диктатуры - все равно что запор с элементами поноса. Законы Мерфи (еще...)

Плоскость - пленка

Cтраница 2

Оба метода требуют перемещения источника излучения параллельно плоскости пленки.  [16]

Домены в тонкой ферромагнитной пленке.| Доменная структура в закритической пленке.  [17]

Приложение внешнего магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки с полосовыми доменами, приводит к изменению размеров и формы доменов.  [18]

Из (4.5) ясно, что градиент Т в плоскости пленки приводит к возникновению силы, продвигающей домен в этой плоскости. Этот важный вывод указывает на возможность управления движением доменов, например с помощью лазерного луча.  [19]

Набор дисков для изучения процесса намагничивания.  [20]

Внешнее поле направлено параллельно оси цилиндра и перпендикулярно плоскости пленок.  [21]

График зависимости вращающего момента от угла поля для пленки состава 76 % Ni, 24 % Fe, толщиной 35 А, полученный на торсионном магнитометре, Величина Ки пропорциональна вертикальному отклонению кривой.  [22]

Дальнейшее увеличение Н вызовет выход вектора М из плоскости пленки, поэтому может быть измерена К, разд.  [23]

Конструкция полосковой линии для наблюдения быстрого персмагничива-п.. я.  [24]

Направление постоянного поля может быть параллельным или перпендикулярным плоскости пленки; в плоскости пленки оно может иметь произвольную ориентацию по отношению к ЛО. В низкочастотной области условия резонанса ( которые зависят от свойств пленок, а также от величины постоянного и частоты радиочастотного полей) определяются измерением потока с помощью съемных катушек. Однако в высокочастотной ( выше 1 ГГц) области необходимо использовать микроволновую технику.  [25]

Качественная зависимость напряжения от температуры в сверхпроводящих пленках, нанесенных на подложки с различными коэффициентами расширения, которые в обеих пленках меньшие, чем в сиерхпроводнике.  [26]

В часто встречающемся случае оси второго порядка перпендикулярны плоскости пленки, а оси четвертого порядка ориентированы случайным образом в плоскости пленки, как например, в пленках олова на известко-во-натриевом стекле, когда наблюдается сдвиг величиной около 0 1 К.  [27]

Объектив 02 передает теневое изображение поверхности излома на плоскость пленки В.  [28]

По определенным законам трехмерная структура кристалла проецируется иа плоскость пленки.  [29]

Для того чтобы развернуть пятна слоевой линии на всю плоскость пленки, необходимо ввести два существенных видоизменения в схему прибора. Во-первых, требуется выделить один дифракционный конус лучей - загородить пленку при помощи ширмы от лучей, дающих пятна на других слоевых линиях. Во-вторых, следует ввести механизм, который позволил бы осуществить перемещение пленки, синхронное с вращением кристалла.  [30]

Страницы:      1    2    3    4    5