Плоскость - максимальное приближение
Cтраница 1
Плоскость максимального приближения ( плоскость Гун), называемая обычно внешней обкладкой молекулярного конденсатора, имеет электрический потенциал Wi и совпадает для катионов и анионов. Поверхность имеет электрический потенциал 4 % и является внутренней обкладкой конденсатора, на которой сосредоточен ионный ( или электронный для металлов) заряд поверхности. Плоскость максимального приближения ограничивает движение ионов раствора, которые притягиваются к поверхности электростатическими силами. [1]
Потенциал плоскости максимального приближения не может быть измерен электрическими методами. [2]
Изменением положения плоскости максимального приближения центров катионов к поверхности электрода при увеличении размеров алкильных заместителей тетраалкиламмониевых катионов можно объяснить и наблюдавшееся Визенером и Швабе [158] изменение Ei / t волны восстановления н-гептанона. [3]
Сверхэквивалентная адсорбция катионов в плоскости максимального приближения приводит к появлению дополнительного скачка потенциала г 2 ( рис. 43 6); тогда фн. [5]
Сверхэквивалентная адсорбция катионов в плоскости максимального приближения приводит к появлению дополнительного скачка потенциала ip2 ( рис. 43 6); тогда фн. [7]
Сверхэквивалентная адсорбция катионов в плоскости максимального приближения приводит к появлению дополнительного скачка потенциала л) 2 ( рис. 43 6); тогда срн. [9]
Очевидно, новый потенциал плоскости максимального приближения i) 2, а также и новый электрокинетический потенциал 2 имеют положительный знак. [10]
Найденное таким образом значение потенциала плоскости максимального приближения, близкое к фо-потенциалу поверхности, может быть использовано для расчета потенциальных кривых взаимодействия частиц, характеризующих устойчивость дисперсной системы ( см. гл. [11]
Найденное таким образом значение потенциала плоскости максимального приближения, близкое к ф0 - потенциалу поверхности, может быть использовано для расчета потенциальных кривых взаимодействия частиц, характеризующих устойчивость дисперсной системы ( см. гл. [12]
Однако рассмотрим сначала расчет потен циала ф2 в плоскости максимального приближения, который в общих чертах был уже обрисован в предыдущем разделе. Метод расчета предполагает отсутствие специфической адсорбции. Противоположный случай будет рассмотрен в гл. [13]
Заряд q - связан с потенциалом ф2 в плоскости максимального приближения по уравнению ( 19) гл. [14]
 |
Зависимость величины плотностей тока обмена I D от концентрации с участников изучаемой реакции.| Поляризационные характеристики изучаемой электрохимической реакции. [15] |
Страницы: 1 2 3 4