Задубливание
Cтраница 1
Задубливание происходит при нормальной температуре. [1]
Задубливание высокомолекулярных соединений, по-видимому, вызывается свободными радикалами, которые, как показал Зюс [121], образуются при действии света на n - хинондиазиды, и состоит в сшивке полимеров бирадикалами и превращении их в трехмерные нерастворимые продукты. Как и в других процессах, протекающих по радикальному механизму, количество вещества, необходимого для эффективной сшивки, невелико и в описанном случае [127] составляет около 0 15 % к весу сухого полимера. В качестве последнего можно использовать поливинилпирроли-дон или аналогичные соединения. При незначительной степени сшивки полимерного вещества оно сохраняет растворимость и может быть удалено с печатной формы. Это свойство используется в случае необходимости удалить с неосвещенных мест изображения малорастворимое диазосоединение. Для этого на экспонированную печатную форму наносят слой какого-либо растворимого в воде полимера, а затем облучают весь слой уже без диапозитива. Вместо экспозиции под диапозитивом на светочувствительный слой наносят изображение от руки, по трафарету или печатают машинописный текст жирной печатной краской. На пластину затем на-лосят слой растворимого в воде полимера, который покрывает светочувствительный слой в местах, свободных от печатной краски, и освещают актиничным источником. [2]
Задубливание высокомолекулярных соединений, по-видимому, вызывается свободными радикалами, которые, как показал Зюс [121], образуются при действии света на n - хинондиазиды, и состоит в сшивке полимеров бирадикалами и превращении их в трехмерные нерастворимые продукты. Как и в других процессах, протекающих по радикальному механизму, количество вещества, необходимого для эффективной сшивки, невелико и в описанном случае [127] составляет около 0 15 % к весу сухого полимера. В качестве последнего можно использовать поливинилпирроли-дон или аналогичные соединения. При незначительной степени сшивки полимерного вещества оно сохраняет растворимость и может быть удалено с печатной формы. Это свойство используется в случае необходимости удалить с неосвещенных мест изображения малорастворимое диазосоединение. Для этого на экспонированную печатную форму наносят слой какого-либо растворимого в воде полимера, а затем облучают весь слой уже без диапозитива. [3]
Задубливание защитного рельефа фоторезиста основано на испарении остатков проявителя и дальнейшей тепловой полимеризации фоторезистов. Температура второй сушки более высокая, что повышает защитные свойства рельефа. [4]
Для задубливания фоторезиста имеется специальная установка ЛФ-6, оборудованная двумя сушильными шкафами, обогреваемыми лампами инфракрасного излучения. Сушат и задубли-вают фоторезист на полупроводниковых пластинах в специальных кассетах-спутниках, которые, вращаясь, автоматически подаются в сушильные шкафы. Вращение кассет необходимо для равномерного обогрева полупроводниковых пластин. [5]
После задубливания фоторезиста обратную сторону подложки, покрытую металлизацией, защищают от воздействия травителей лаком. [6]
Время задубливания фотослоев 2 - 3 минуты. [7]
 |
Установка для натяжения сетки на рамку. [8] |
Проявление, задубливание и снятие резиста осуществляется в обыкновенных ваннах. [9]
Применяется для задубливания фотоотпечатков, предназначенных для глянцевания посредством наката на полированную поверхность, если они закреплялись в недубящем закрепителе. [10]
Затем проводят предварительное задубливание при 80 - 120 С; температура задубливания зависит от природы, толщины слоя и назначения резиста. [11]
Вообще говоря, окончательное задубливание проводить не рекомендуется, поскольку высокотемпературная выдержка пагубно сказывается на резисте. Максимальную химическую стойкость в травильных растворах или гальванических ваннах при больших значениях плотности тока обеспечивает задубливание резиста при 65 С в течение 20 - 30 мин. [12]
 |
Схема изготовления биметаллической свободной маски. [13] |
После проявления и задубливания фоторезистивного слоя ( рис. 30, г) образуется защитный рельеф для последующего никелирования. Проявление слоя ПВС проводится в проточной воде при температуре 50 - 60 С, а фоторезиста - в водном растворе фосфорнокислого натрия с глицерином. [14]
Какие вещества применяют для задубливания желатины. [15]
Страницы: 1 2 3 4