Задубливание

Cтраница 2

Применяется после закрепления для задубливания фотоотпечатков, предназначенных для глянцевания посредством наката На полированную поверхность, если они закреплялись в недубящем закрепителе. [16]

Экспозиционные характеристики фотоматериала на бихромироваииой желатине для трех длин волн. / - 0 457 мкм. 2 - 0 488 мкм. 3 - 0 514 мкм. [17]

Фотослой может быть улучшен дополнительным химическим задубливанием путем введения дубителя в эмульсию или термическим задубливанием сухого слоя перед экспонированием. [18]

Кислотоустойчивость резиста повышается при задубливании, сопровождающемся полной полимеризацией маски. [19]

При этом происходит упрочнение ( задубливание) фоторезиста. Проявленный рельеф ( изображение рисунка ИС) переносится на рабочие слои подложки ( пластину) с помощью операции травления. [20]

Постепенно нагревая раствор ( для задубливания желатины), провести окрашивание отпечатка. [21]

К недостаткам описанного процесса относится поверхностное задубливание пигментного слоя, что приводит к растворению нижнего участка слоя желатины и непроизвольному отделению задубив-шейся пленки от листа. Чтобы этого не произошло, лист пигментной бумаги после экспонирования размачивают в холодной воде, а затем контактируют с листом обычной бумаги и погружают в теплую воду. Все задубленные участки пигментного слоя ( тени и полутона) переносятся и закрепляются на новой подложке. Один такой перенос дает зеркально-перевернутое изображение. Для получения прямого изображения операцию переноса повторяют. Таким образом, различают два варианта переноса - простой и двойной. [22]

Критерием чувствительности для негативных фоторезистов является задубливание в освещенных участках на глубину, необходимую для эффективной защиты от травления. [23]

Во избежании отслаивания при травлении необходимо окончательное задубливание. Температуру задубли-вания 93 - 120 С превышать не следует во избежание растрескивания и отслаивания резиста по краям. [24]

Все процессы аналогичны использованию резиста KPR, только предварительное задубливание проводят в течение не более 20 мин при температуре 82 С. Более высокие температуры отрицательно сказываются на адгезии. Для печати на меди предпочитают пониженные температуры и увеличенную продолжительность предварительного задуб-ливания. [25]

Следующим этапом после нанесения на фольгу и предварительного задубливания фоторезиста является экспонирование, или контактная печать схемы. Для резистов негативного действия это равнозначно переводу экспонированных участков резиста в полимеризован-ное нерастворимое состояние. Важнейшим условием для получения высокого разрешения является использование точечного источника света или коллимированного пучка. Однако для этой цели подходят в принципе и источники света, которые нельзя рассматривать как точечные: угольно-дуговые, ртутные лампы и иногда вольфрамовые лампы накаливания. Оптимальное время экспозиции зависит от типа и толщины слоя резиста и от расстояния от источника света до платы. [26]

Точное регулирование экспозиции, обеспечивающее строго определенную степень задубливания и необходимую адгезию набухшего коллоида к воспринимающему материалу, на практике представляет значительные трудности, поэтому описанный выше метод негативного копирования широкого распространения не получил. [27]

Пылинка на поверхности слоя фоторезиста может воспрепятствовать его задубливанию в этом месте, и впоследствии это также приведет к появлению отверстия в окисле. Тот же эффект может дать пылинка или какая-либо другая темная точка на прозрачной части фотошаблона. [28]

Затем проводят предварительное задубливание при 80 - 120 С; температура задубливания зависит от природы, толщины слоя и назначения резиста. [29]

При печати на стеклоэпоксидных подложках, фольгиро-ванных Коваром, нужно придерживаться температуры задубливания, не превышающей допустимого предела в первую очередь для эпоксидной смолы, а затем уже для смолы KMER. Для смолы G-10, например, температура не должна превышать 125 С. Без разрушения выдержит подложка и температуру до 140 С в течение 15 - 30 мин. [30]

Страницы: 1 2 3 4