Кристаллическая плоскость
Cтраница 1
Кристаллические плоскости также обладают свойством отражать частицы, налетающие на них под достаточно малыми углами. [1]
Кристаллические плоскости также обладают свойством отражать частицы, налетающие на них под достаточно малыми углами. При этом углы 6Т и бкан Для плоскостей в несколько раз меньше соответствующих углов для цепочек. [2]
 |
Схема строения молекулы стеарата натрия. [3] |
Таким образом, кристаллические плоскости образованы в кристаллах мыл одновалентных металлов сдвоенным рядом катионов, а в кристаллах мыл двухвалентных металлов-одним рядом катионов. [4]
Винтовая дислокация превращает параллельные кристаллические плоскости кристалла в единую спираль - геликоид ( рис. IV-11), так что рост кристалла, содержащего винтовую дислокацию, связан не с возникновением новых атомных плоскостей, а с продолжением наращивания спирали. [5]
Для каждого типа кристаллической плоскости наблюдается наиболее вероятная конфигурация адсорбционного слоя, соответствующая требованиям геометрической природы и количеству связей, реализуемых между металлом и окислителем. [7]
Если кристалл окружен разными кристаллическими плоскостями с различными моментами двойного слоя, электростатический потенциал не может иметь одинаковое значение всюду за пределами кристалла. [8]
Индексы и способ обозначения кристаллических плоскостей разъяснены на фиг. [9]
 |
Структура растущей грани кристалла.| Рост грани при винтовой дислокации кристаллической решетки. [10] |
На ней, кроме кристаллических плоскостей /, имеются ступени 2 растущего нового двухмерного ( атомной тол-шины) слоя металла, а также выступы 3, образованные растущим вдоль ступени одномерным рядом атомов металла. [11]
Химическая и кристаллографическая структуры различных кристаллических плоскостей одного и того же кристалла могут значительно различаться, поэтому следует изучать химические свойства кристалла в зависимости от вида экспонируемой грани. Такие исследования начались с известных экспериментов Гуотми и сотрудников, показавших, что монокристаллы меди и никеля реагируют с газами по-разному, в зависимости от вида грани, выходящей на поверхность. На рис. 2.16 приведены данные по адсорбции азота на монокристалле вольфрама, которые убедительно доказывают, что вероятность адсорбции, характер процесса и равновесное состояние для различных кристаллических граней значительно отличаются друг от друга. Наименее активна грань ( ПО), причем активность ее остается низкой и при адсорбции других газов, например водорода. Объясняется это тем, ято грань ( 110) имеет максимальную плотность атомов на поверхности и, как следствие, минимальную поверхностную энергию и высокую химическую стабильность. В некоторых случаях картина более сложна: например, при перестройке плоскости ( 100) структура ( 1 х 1) переходит в ( 1 х 5) или ( 5 х 20), адсорбционная способность которых значительно ниже. [12]
Здесь индексы ijk обозначают кристаллическую плоскость, ответственную за максимум рассеяния, и если известна структура и размеры элементарной ячейки кристалла, то fijit представляет собой сумму ядерных амплитуд рассеяния /, взятых с соответствующими фазами для всех атомов элементарной ячейки. [13]
Значит и скольжения по кристаллическим плоскостям начинаются с вполне определенного критического значения напряжения, касательного к этим плоскостям. Конечно, это критическое значение напряжения ( скалывающего напряжения, как его обычно называют) не обязательно равно пределу упругости, так как вдоль плоскостей ведь действует только некоторая составляющая внешнего напряжения. Сначала скольжение идет по той из кристаллических плоскостей, вдоль которой действует самая большая составляющая приложенной силы. По другим плоскостям скольжение начинается, когда и на них напряжение станет критическим. [14]
Чему равен угол между естественными кристаллическими плоскостями в каждом из этих двух случаев. [15]
Страницы: 1 2 3 4