Кристаллическая плоскость

Cтраница 3

Пренебрежем тем, что вдоль различных направлений одной кристаллической плоскости а может иметь разные значения. [31]

При напряжении, равном пределу текучести вщ между кристаллическими плоскостями граничного слоя возникает пластическое течение. [32]

Дифракция на пространственной решетке как результат интерференции волн, отраженных от отдельных плоских решеток. [33]

Поэтому формально явление дифракции можно рассматривать как отражение от кристаллических плоскостей. [34]

Если диэлектрик является кристаллом, то поверхность должна быть кристаллической плоскостью. [35]

Если диэлектрик является кристаллом, то поверхность должна быть кристаллической плоскостью. [36]

При напряжении, равном пределу текучести Эщ, между кристаллическими плоскостями граничного слоя возникает пластическое течение. [37]

Как известно, каждый вектор b обратной решетки определяет семейство кристаллических плоскостей по уравнениям rb 2л т, где число т пробегает целые значения. [38]

Как известно, каждый вектор b обратной решетки определяет семейство кристаллических плоскостей по уравнениям rb 2тгга, где число га пробегает целые значения. [39]

Как известно, каждый вектор b обратной решетки определяет семейство кристаллических плоскостей по уравнениям rb 2л т, где число т пробегает целые значения. [40]

Поскольку координация адионов с атомами металла подложки зависит от природы кристаллической плоскости, в процессе растворения могут образовываться кристаллические грани различных индексов и с различной прочностью связи с адионами. После выключения тока анодного растворения те плоскости, которые содержат наибольшую концентрацию адионов, должны растворяться быстрее, чем плоскости с меньшей концентрацией адионов; осаждение ионов металла происходит соответственно на плоскостях с меньшей концентрацией адионов. [41]

В том же параграфе представлены дополнительные соображения в пользу модели кристаллической плоскости, не подтверждающие модель распределения. Перераспределение атомов поверхности металла под влиянием хемосорбции водорода обсуждается в § 6 на основе модели кристаллической плоскости. [42]

Преимущественная десорбция, таким образом, объяснена в рамках модели кристаллической плоскости в лучшем приближении, чем пропорциональное приближение. [43]

Эта величина в первом приближении пропорциональна количеству участвующих в отражении кристаллических плоскостей каждого блока, определяющему интенсивность рентгеновского рефлекса. [44]

Схема установки для анализа по методу Лауэ. [45]

Страницы: 1 2 3 4