Кристаллическая плоскость

Cтраница 2

Точечные дефекты кристаллической решетки. [16]

В последних углы между кристаллическими плоскостями соседних блоков составляют обычно несколько градусов или долей градуса. Материалы, образованные зернами размером около 0 1 мкм или меньшими по размеру субзернами, имеют прочность, приближающуюся к теоретической, рассчитанной по данным об энергиях связи между отдельными атомами. [17]

При отражении рентгеновских лучей от кристаллической плоскости происходит уменьшение интенсивности отраженного пучка за счет поляризации. [18]

Потенциалы адсорбированных атомов в модели кристаллической плоскости, соответствующие пропорциональному приближению. [19]

Сопряжение фаз, при котором все кристаллические плоскости одной фазы недрзрызцьш оЗргзэи пзреходят в кристаллические плоскости другой флзл, назыздэг я тогерзнтным. [20]

При ближайшем рассмотрении даже в модели кристаллической плоскости оказывается, однако, что объекты, адсорбировавшиеся позже, легче десорбируются. [21]

Ионы металла легче всего разряжаются на кристаллической плоскости ( в положении /); вблизи ступени 2 или выступа 3 разряд заторможен, так как затрудняется приближение гидра-тированных ионов металла к месту разряда. Поэтому рост зародыша связан с поверхностной диффузией разрядившихся адатомов ( или частично разрядившихся адионов) из положения типа / в положение типа 3, в котором они внедряются в решетку. Таким образом, последовательно заполняются ряды вдоль отдельных ступенек слоя и сами растущие слои. [22]

Косвенным доказательством возможности прочного сцепления двух кристаллических плоскостей путем простого сближения их является работа И. В. Обреимова [20], который, проводя опыты по расщеплению слюды стеклянным клином, установил, что при удалении клина слюда снова смыкалась, образуя целый кусок. Это убедительно подтверждает мнение, что для возникновения связей достаточно сближения атомов, сидящих на сходных гранях, на расстояние, при котором возникает межатомное взаимодействие. [23]

Ответ положителен, если поверхность представляет идеальную кристаллическую плоскость. Если плоскость не идеальна вследствие несовершенства кристалла или из-за неоднородности атомных слоев, могущих образовывать выступы и впадины, то кристаллографические положения могут отличаться по энергии. [24]

На возможность смещения атомов по каким-либо кристаллическим плоскостям значительное влияние оказывает температура. Повышение температуры, а следовательно, и амплитуды тепловых колебаний атомов в ряде случаев приводит к тому, что процесс скольжения может происходить по другим плоскостям, отличным от тех, по которым происходит скольжение при комнатной температуре. [25]

Тепловой поток в кристалле при вытягивании его из расплава по методу Чохральского. [26]

Разница в энергиях, появляющаяся между различными кристаллическими плоскостями, будет большой по сравнению с шириной области dx, в которой температура мало отличается от Гр. Отрицательный температурный градиент в жидкой фазе ( рис. 4.8, в) приводит к ее переохлаждению и, как следствие, к возможности образования дендритов. [27]

Родин нашел, что на трех главных кристаллических плоскостях меди теплоты адсорбции азота слегка различаются между собой по величине. В каждой из этих плоскостей теплоты адсорбции почти постоянны и равны приблизительно 2 ккал / моль, но на кривой появляется определенный и отчетливо выраженный максимум, когда количество адсорбированного азота отвечает приблизительно полному заполнению монослоя. [28]

Подобное скольжение предусматривает незначительное проскальзывание большого числа кристаллических плоскостей. Такое скольжение, очевидно, может происходить по плоскостям с наибольшей концентрацией дефектов ( например, границам блоков мозаики) и может сопровождаться нарушением областей когерентного рентгеновского рассеяния. [29]

Как видно из рисунка, углы между естественными кристаллическими плоскостями равны 90 для кристаллической формы с четырьмя соседними атомами и 60 или 120 для кристаллической формы с шестью соседними атомами. В последнем случае кристаллы могут принадлежать к триклинной или гексагональной системам. [30]

Страницы: 1 2 3 4