Ориентированная плоскость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Человек гораздо умнее, чем ему это надо для счастья. Законы Мерфи (еще...)

Ориентированная плоскость

Cтраница 4


Другими словами, чтобы получить из конформной плоскости специальную конформную плоскость, нужно зафиксировать некоторую ориентацию. По этой причине специальная конформная геометрия называется также конформной геометрией ориентированной плоскости.  [46]

47 Три системы скольжения в гране-цен фирован-ной кубической решетке, связанные с плоскссп ью [ HI ]. [47]

При малых напряжениях ( деформациях) скольжение идет вдоль плоскостей, наиболее благоприятно ориентированных к направлениям сдвига. По мере увеличения напряжений оно начинает происходить также по менее благоприятно ориентированным плоскостям; таким образом, различные системы скольжения последовательно вступают в процесс пластического течения.  [48]

Выражение двойного отношения четверки прямых пучка через углы. В метрической геометрии две четверки прямых ( в двух пучках) равны, если их лучи образуют в ориентированной плоскости соответственно равные ( с точностью до kri) углы.  [49]

Теория максимальных касательных напряжений была предложена Треска и основана на предположении, что в пластичных, однородных и изотропных металлах, находящихся в состоянии текучести, максимальные касательные напряжения постоянны. Основой теории послужили наблюдения, позволившие установить, что в процессе пластического течения пластичных материалов имеет место скольжение по критическим ориентированным плоскостям, на которых касательные напряжения максимальны. Таким образом, предполагается, что переход материала в пластическое состояние определяется только величиной максимальных касательных напряжений, действующих в элементе.  [50]

Характер перехода от упругого сопротивления к пластическому ( предел текучести) зависит от преимущественных направлений и числа одновременных процессов скольжения, имеющих место в переходной области. Переход будет плавным до тех пор, пока с каждым приращением нагрузки за пределом текучести связано множество процессов скольжения, происходящих на небольших расстояниях вдоль случайно ориентированных плоскостей; в этом случае можно считать пластическое сопротивление квазиизотропным. С другой стороны, внезапный, резко выраженный переход от упругой деформации к пластической является результатом неупругого, нестесненного, лавинообразного распространения ограниченного числа интенсивных процессов скольжения преимущественного направления.  [51]

Итак, на каждую неориентированную плоскость приходится по две ориентированные. Автоморфизмами неориентированной метризованной плоскости служат сдвиги, повороты и переносы с отражениями. При переходе к ориентированной плоскости переносы с отражениями вымерзают, поскольку если встать на ось симметрии, то направление слева направо при отражении сохраняется, а направление вперед изменяется на противоположное. На прямой, перпендикулярной оси симметрии, при отражении изменяется направление слева направо, но сохраняется направление вперед.  [52]

В первую очередь пластическая деформация возникает в зернах с наиболее, благоприятной ориентировкой плоскостей скольжения, т.е. такой, при которой последние совпадают с площадками действия наибольших касательных напряжений, вызываемых данной системой сил. Остальные зерна деформируются упруго и могут получать только относительное смещение. По мере увеличения деформируемых сил касательные напряжения, действующие в менее благоприятно ориентированных плоскостях скольжения, достигают значения, необходимого для начала пластической деформации, причем последней начинает подвергаться все возрастающее число зерен поликристалла.  [53]

54 Температурная зависимость обобщенного коэффициента распределения примеси теллура в эпитаксиальных слоях GaP, осажденных в закрытой ( / и открытой ( 2, 3 системах, при концентрации теллура в расплаве, ат. доли. 1 - 6 - 10. 2 - 7 3 - 10 - б - Б. з - 1 7Х Х10 - 4.| Схемы равновесного с подпиткой ( а я неравновесного ( б методов электрожидкофазной кристаллизации. [54]

Определенное влияние на величину эффективного коэффициента распределения оказывает кристаллографическая ориентация плоскости подложки. Экспериментально установлено, что на плоскости ( III) В эффективные коэффициенты распределения доноров kD больше, а акцепторов kA меньше, чем на плоскости ( III) А. Ориентационная зависимость эффективных коэффициентов распределения в процессе жидкофазной эпитаксии, так же как и при выращивании объемных кристаллов, может быть объяснена различным характером адсорбции примеси на разным образом ориентированных плоскостях полупроводников.  [55]

Задавая ориентацию на прямой, мы выбираем на ней две точки и говорим, указывая на одну из них: Эта лежит слева. Вводя ориентацию на плоскости, мы отдаем предпочтение определенному направлению вращения, когда объясняем, как следует выполнять поворот налево. Пространство обретает ориентацию, когда мы указываем винт, который называем левым винтом. Вместо винта можно было бы взять ориентированную плоскость, указав, какая из ее сторон считается верхней и какая нижней ( положительной или отрицательной), или проткнув ее каким-нибудь вектором.  [56]



Страницы:      1    2    3    4