Различная кристаллографическая плоскость
Cтраница 1
Различные кристаллографические плоскости одного и того же кристалла могут обладать довольно различной каталитической активностью. Так как каталитические процессы не всегда локализованы в самом поверхностном слое катализатора, а могут происходить и в более глубоких слоях, то возникает вопрос, будет ли катализ определяться ориентацией кристалла или строением внешнего слоя. Так как недавно по этим вопросам был сделан обзор [13], здесь можно ограничиться только их краткой сводкой. Удачные эксперименты Гуотми с сотрудниками [14] ( с 1948 г.), проведенные со сферическими монокристаллами, показали, что в некоторых каталитических реакциях те места сферического образца меди, которые параллельны наиболее плотно упакованным плоскостям ( 111), проявляют самую высокую активность. Поверхность в этих местах остается совершенно гладкой, но она оказывается значительно более шероховатой в тех участках, которые параллельны плоскостям ( 100) и на которых каталитическая реакция идет намного медленнее. Шероховатость приводит к образованию множества небольших граней ( 111) и ( ПО), но не приводит к увеличению скорости реакции. [1]
Наличие различных кристаллографических плоскостей и направлений, так же как и появление дефектов решетки, несомненно, вызывает неоднородное распределение адсорбционных сил. Эта неоднородность более важна для физической адсорбции, нежели для хемосорбции. [2]
Скорость окисления различных кристаллографических плоскостей меди, по-видимому, связана с числом возникающих на них ориентировок кристаллов закиси. [3]
Наличие на поверхности различных Кристаллографических плоскостей, как, например, в порошках, также приводит к неоднородному характеру адсорбции. [4]
Взаимное расположение атомов на различных кристаллографических плоскостях различно, а также различна и величина межатомных расстояний по разным кристаллографическим направлениям. Так как свойства вещества ( физические, химические и механические) зависят от взаимодействия атомов, то вследствие различия в расстояниях между атомами и их взаимном расположении свойства кристаллов неодинаковы по разным кристаллографическим направлениям. Различие свойств по разным направлениям называется анизотропией, которая характерна для кристаллического строения. [5]
В таблице приведены значения е для различных кристаллографических плоскостей и направлений оси проволоки. [6]
Важно отметить, что процессы наслоения на различные кристаллографические плоскости связаны, вообще говоря, с различными выигрышами в энергии. В этом различии также проявляется анизотропия кристаллов. [7]
А-низотропией называется различие свойств кристаллов в направлениях различных кристаллографических плоскостей. [8]
Таким образом, измеряя механический момент в различных кристаллографических плоскостях в магнитном поле, можно определить константу энергетической анизотропии монокристалла. [9]
Характер упаковки молекул и силы межмолекулярных взаимодействий в различных кристаллографических плоскостях простых молекулярных кристаллов приблизительно одинаковы, поэтому одинаковой должна быть и межфазная гиббсова энергия на границе раздела расплава с различными гранями зародыша кристаллизации. [10]
Коэффициент отражения при Я58 4 нм имеет следующие значения для различных кристаллографических плоскостей ( Ш) монокристалла вольфрама. [11]
 |
Окисление монокристалла меди. [12] |
По предположениям Лоулесса и Гуатми [307], неодинаковая скорость окисления различных кристаллографических плоскостей может быть увязана с числом различных эквивалентных возможностей ориентации окисла по отношению к металлу для заданной общей взаимосвязи. [13]
Можно сделать заключение, что поверхность поликристаллического материала, состоящая из различных кристаллографических плоскостей, является неоднородной вследствие того, что разные грани кристаллов характеризуются различными тепло-тами адсорбции. Но, как мы видели из данных по работам выхода на вольфраме, эти различия не очень велики. Поэтому указанная неоднородность, по-видимому, обусловливает только некоторую часть наблюдаемого уменьшения теплот хемосорбции с увеличением степени заполнения, но не весь эффект в целом. [14]
Страницы: 1 2 3 4