Различная кристаллографическая плоскость

Cтраница 4

Здесь же напомним, что при установлении этих индексов исходят из величины отрезков, отсекаемых плоскостью при пересечении с тремя осями координат кристалла. Для удобства пользуются не величиной самих отрезков, а тремя целыми числами, являющимися величинами, обратными длинам отрезков. Эта грань отсекает на оси абсцисс отрезок ОД а1, а на двух других осях - отрезки, равные бесконечности. На рис. 17 показаны различные кристаллографические плоскости кубической решетки. Для индицирования направлений в кристаллической решетке через начало координат проводят соответствующую прямую: величины, обратные координатам ближайшего атома, выраженным в осевых единицах, принимаются за индексы прямой [ и, v, w ] и заключаются в квадратные скобки. Для кристаллов кубической симметрии индексы нормали к какой-либо кристаллографической плоскости совпадают с индексами этой плоскости. [46]

В результате травления шлифа 4 % - ным раствором HNOa в спирте границы зерен феррита вытравляются сильнее и дают углубления. Эти углубления, соответствующие границам зерен, вследствие рассеивания света кажутся нам под микроскопом в виде темных линий. В сечении шлифа зерна феррита перерезаны по различным кристаллографическим плоскостям, а так как свойства зерен в различных сечениях неодинаковы, то и растворение каждого зерна под действием реактива различно. [47]

Третий тип структурных несовершенств составляют плоские или двумерные несовершенства, к которым относятся границы зерен, границы блоков и некоторые другие. Обычно металл представляет собой конгломерат большого числа кристаллов, которые расположены по отношению друг к другу совершенно произвольно, но прочно связаны между собой в единое целое. Кристаллы в поликристаллическом теле не обладают правильной геометрической формой, и поэтому их часто называют зернами или кристаллита-м и. Зерна в поликриеталлическом металле сопрягаются между собой самыми различными кристаллографическими плоскостями, следовательно, границы между зернами представляют собой участки, в которых кристаллическая решетка искажена. При этом искажения захватывают лишь приграничные области решеток каждого зерна, т.е. практически они распространяются только по поверхности зерен. Поэтому их и называют двумерными несовершенствами. [48]

В ряде случаев выбор кристаллофизических осей неоднозначен. В сочетании с неоднозначностью выбора кристаллографических осей для тех же классов произвол оказывается еще большим. Это необходимо учитывать при использовании констант кристаллов, описывающих анизотропные физические свойства. Чаще всего в таких случаях установку осей связывают с данными по дифракции рентгеновского излучения от различных кристаллографических плоскостей. [49]

Структура ванадия. Ув. 600. [50]

Однако такое, в принципе правильное, положение может на практике в какой-то степени нарушаться. Это связано с тем, что интенсивность коррозионного воздействия оценивают весовым методом ( по уменьшению массы) и относят к номинальной поверхности образца. В процессе испытаний шероховатость поверхности образца изменяется, что при определении скорости коррозии не учитывается. Причины увеличения шероховатости следующие: неодинаковая степень травимости тела зерна и границ зерен и неодинаковая степень травимости по различным кристаллографическим плоскостям. [51]

Наиболее однородной поверхностью, которую нам в состоянии предоставить природа, очевидно, является поверхность кристалла. Как уже было подчеркнуто во введении, такая поверхность сама по себе гетерогенна по своему атомному или молекулярному характеру. Помимо периодических изменений энергии на любой кристаллографической плоскости, гетерогенность поверхности может быть увеличена нарушениями кристалла, подобными выступам и впадинам, образуемым незавершенными слоями или островками слоев. Поверхность порошкообразного металла или напыленной пористой пленки металла также должна быть гетерогенной ввиду того, что отдельные кристаллиты могут быть обращены к газовой фазе различными кристаллографическими плоскостями соответственно габитусу кристаллов или будучи вынужденными к этому, как в случае пленок металлов, напыленных в атмосфере инертного газа, вызывающего их преимущественную ориентацию к газовой фазе определенными плоскостями кристалла. [52]

Если такой полимер, как полиэтиленте-рефталат, вытягивать в особых условиях, перед образованием чисто кристаллического состояния возможно образование целого ряда различных промежуточных состояний, которые часто могут быть отнесены к паракристаллическим. Эти промежуточные состояния напоминают жидкокристаллическое состояние. Как сообщил Бо-нарт [41], в процессе вытяжки происходит развитие кристаллической структуры. Эта структура образуется через нематкческую гексагональную упаковку, которая при более высокой степени вытяжки переходит в смектичеокую структуру. При различных степенях вытяжки появляются различные кристаллографические плоскости. [53]

Как мы видели в разделе VI, 2, физическая адсорбция обычных газов на ионных поверхностях происходит вследствие совместного действия сил Ван-дер - Ваальса и поляризации молекул электрическими полями поверхности. Активные центры ( раздел V, 12) оказывают влияние на оба эти эффекта. Поэтому реальные неоднородные поверхности ионных адсорбентов, состоящие из различных кристаллографических граней, межкристаллитных границ, ребер, вакантных мест и других типов активных участков, будут практически во всех случаях адсорбировать первые молекулы с относительно большой теплотой адсорбции. Крофорд и Томпкинс [178] при изучении адсорбции сернистого газа, двуокиси углерода и других газов на фтористом кальции и фтори - - стом барии нашли, что теплоты адсорбции уменьшаются с увеличением количества адсорбированного газа. Они приписывают этот эффект неоднородности исследованных поверхностей, а также наличию различных кристаллографических плоскостей. [54]

Как мы видели в разделе VI, 2, физическая адсорбция обычных газов на ионных поверхностях происходит вследствие совместного действия сил Ван-дер - Ваальса и поляризации молекул электрическими полями поверхности. Активные центры ( раздел V, 12) оказывают влияние на оба эти эффекта. Поэтому реальные неоднородные поверхности ионных адсорбентов, состоящие из различных кристаллографических граней, межкристаллитных границ, ребер, вакантных мест и других типов активных участков, будут практически во всех случаях адсорбировать первые молекулы с относительно большой теплотой адсорбции. Крофорд и Томпкинс [178] при изучении адсорбции сернистого газа, двуокиси углерода и других газов на фтористом кальции и фтористом барии нашли, что теплоты адсорбции уменьшаются с увеличением количества адсорбированного газа. Они приписывают этот эффект неоднородности исследованных поверхностей, а также наличию различных кристаллографических плоскостей. [55]

В большинстве случаев обязательным этапом при подготовке поверхности образца к травлению и исследованию ее под микроскопом является полировка, которая производится или химическим способом или на специальном полировальном круге. Обработанная поверхность образца называется шлифом. На поверхности шлифа поликристалла после травления будут четко обнаруживаться границы зерен, которые травятся значительно быстрее, чем сами зерна. Отдельные зерна при этом могут иметь различные световые оттенки. Такая картина наблюдается в результате того, что при неодинаковой ориентации зерна выходят на поверхность шлифа различными кристаллографическими плоскостями, характер и скорость травления которых различны. Еще более четко будут различаться зерна различного фазового состава. [56]

Перечислим факторы, которые влияют на скорость осаждения, степень однородности, состав и свойства пленок, получаемых методом химического осаждения из паровой фазы. Неодинаковый характер температурной зависимости скорости осаждения при пониженных и повышенных температурах свидетельствует о том, что с изменением температуры подложки степень относительного влияния нескольких процессов, определяющих скорость осаждения пленки, меняется. Следует отметить, что приведенные здесь температурные зависимости скорости осаждения не являются универсальными - при получении пленок других веществ, а также при изменении прочих параметров процесса характер этих зависимостей меняется. На скорость осаждения пленок значительное влияние может оказывать кристаллографическая ориентация подложки [121], как это показано на рис. 2.19, в для случая выращивания пленок GaAs. Наблюдаемые различия в скорости осаждения могут быть связаны с изменением плотности и геометрических параметров областей выхода дислокаций на поверхность подложки, количества и природы поверхностных химических связей, атомного состава различных кристаллографических плоскостей, количества и вида поверхностных дефектов, таких, как ступеньки, изломы, выступы и пустоты. [57]

Однако имеются некоторые признаки, свидетельствующие о том, что специальная обработка аморфных образцов, например их вытяжка, может привести к структуре, отличной от структуры обычной аморфной фазы. Если такой полимер, как полиэтиленте-рефталат, вытягивать в особых условиях, перед образованием чисто кристаллического состояния возможно образование целого ряда различных промежуточных состояний, которые часто могут быть отнесены к паракристаллическим. Эти промежуточные состояния напоминают жидкокристаллическое состояние. Как сообщил Бо-нарт [41], в процессе вытяжки происходит развитие кристаллической структуры. Эта структура образуется через нематическую гексагональную упаковку, которая при более высокой степени вытяжки переходит в смектическую. При различных степенях вытяжки появляются различные кристаллографические плоскости. [58]

Страницы: 1 2 3 4