Различная кристаллографическая плоскость

Cтраница 2

В табл. 43 приведены результаты определения теплоты адсорбции СО на различных металлах и различных кристаллографических плоскостях одного и того же металла, а в табл. 4.4 даны теплоты адсорбции Н2 на различных кристаллографических плоскостях вольфрама. [16]

Если пучок монохроматического рентгеновского излучения падает на кристалл, он диффрагирует ( отражается от различных кристаллографических плоскостей) с различной интенсивностью в разных направлениях. [17]

Смеси на основе плавиковой и азотной кислот для обработки кремния. [18]

Щелочное травление дает блестящую, но не зеркальную поверхность, так как травление в различных кристаллографических плоскостях происходит по-разному. Поэтому щелочное травление применяют для выявления дислокаций, создания чистых, но не полированных поверхностей, для травления сборок с кремниевым кристаллом. [19]

Уже давно было известно, что скорость травления полупроводниковых материалов в ряде травителей различна для различных кристаллографических плоскостей. [20]

Возникающий деформационный микрорельеф свидетельствует, что пластическая деформация никеля при 400 С осуществляется по нескольким различным кристаллографическим плоскостям при неизменном направлении скольжения. Как отмечалось и ранее [5], для никеля характерно так называемое внутреннее волнистое поперечное скольжение. [21]

Проводимость смесей углерод-вольфрам различного состава при комнатной температуре. [22]

Кислородсодержащие соединения, вследствие хемосорбции, могут влиять на работу выхода вольфрама [147], и поскольку различные кристаллографические плоскости ведут себя различно, то плотность эмиссии в пределах электронного пучка может изменяться. Изменение положения электронного пучка будет вызывать изменение в соотношении ин-тенсивностей ионов; еще более серьезной причиной возникновения этих изменений является образование изолирующих пленок на поверхности электродов, потенциалы которых определяют регулирование электронного пучка. Источники для аналитической работы должны легко разбираться для чистки и удаления этих отложений. Такую операцию следует производить не реже, чем один раз. [23]

Можно было бы ожидать, что пик емкости окажется более широким на твердом электроде вследствие несовпадения потенциалов нулевого заряда различных кристаллографических плоскостей галлия, но этот эффект не был обнаружен. Лейкис и Севастьянов исследовали также емкость электрода из сплава Вуда, ранее уже изучавшегося Карпачевым, Ладыгиным и Жуковым [5], и приписали 10 - 15 % - ное возрастание емкости, которое наблюдается при переходе сплава в твердое состояние, изменению истинной поверхности. Кривые дифференциальной емкости для жидкой и твердой ртути совпадали; лишь при больших отрицательных потенциалах обнаружились различия, связанные с образованием амальгамы. [24]

К методу раскалывания тесно примыкает и метод дробления твердых тел, который в отличие от первого дает не однородную поверхность, а представленную различными кристаллографическими плоскостями и изломами, которая вследствие различного рода напряжений, дефектов и энергетической неравноценности вносит некоторую неопределенность в адсорбционный и каталитический процессы. [25]

В соответствии с этой моделью предполагается, что напряжения в термическом пике преодолевают анизотропию энергии дислокационной петли и заставляют вакансии и междоузлия собираться в плоские скопления на различных кристаллографических плоскостях, вызывая тем самым изменение формы кристалла. Модель Бакли, которая предсказывает удлинение вдоль оси а из-за образования межузельных петель в призматических плоскостях и сжатие вдоль с из-за образования петель вакансионного типа в базисных плоскостях, нашла широкое распространение. Хескет и другие исследователи [35] установили соответствие этой модели их результатам, а Бакли [3] сообщил, что данные электронно-микроскопических исследований структуры облученных образцов согласуются с его гипотезой. [26]

Системы кристаллических решеток по Бравэ. [28]

Сочетание ( hkl) называется индексом Миллера плоскости. На рис. 2.2 показаны различные кристаллографические плоскости и их индексы Миллера. [29]

Системы кристаллических решеток по Бравэ. [30]

Страницы: 1 2 3 4