Плотность - отрицательный заряд
Cтраница 1
 |
Схематическое изображение ряда изоэлектронных молекул, указывающее относительную доступность заполненных электронами ор-биталей для образования дальнейших связей. [1] |
Плотность отрицательного заряда вблизи атома азота в КНз ( степень окисления N равна - 3) должна быть выше, чем вблизи изоэлектро. [2]
 |
ЗошАя схема электронного полупроводника с положительным объемным зарядом в приповерхностной области. [3] |
Определить плотность отрицательного заряда па поверхности дырочного полупроводника, если величина поверхностного потенциала равна IcpJ 0 25 В. [4]
 |
Перекрытие электронных облаков при образовании молекулы водорода. [5] |
Увеличение же плотности отрицательного заряда благоприятствует сильному возрастанию сил притяжения между ядрами и молекулярным облаком. [6]
При стационарном режиме плотность отрицательного заряда в каждой данной точке поля должна быть постоянной во времени, а плотность электронного тока должна быть постоянной во времени и одинаковой на всех расстояниях х от катода. Поэтому i мы должны принимать в уравнении ( 39 6) за постоянную величину. [7]
При стационарном режиме плотность отрицательного заряда в каждой точке поля должна быть постоянной, а электронный ток I должен быть постоянным во времени и одинаковым на всех расстояниях х от катода. Поэтому величину I мы должны принимать в уравнении ( 292) за постоянную величину. [8]
 |
Диаграмма Минковского, показывающая, что плотности зарядов различны в разных системах отсчета. [9] |
Очевидно, что плотность отрицательных зарядов на оси х меньше, чем на оси хп, а плст. Заметим, что при переходе от одной системы отсчета к другой изменяется масштаб вдоль соответствующих осей, поэтому плотность зарядов следует относить к единичным отрезкам, которые отсекаются на осях гиперболой, показанной на рисунке. Следовательно, в соответствии с соотношением ( 22.4; вещество окажется положительно заряженным в системе 2 - хотя в системе 2 оно было нейтральным. [10]
И в том, и в другом случае плотность отрицательного заряда на анионе заметно выше, чем на карбанионе. Поэтому увеличивается кулоновское взаимодействие в пределах тиолятных и, особенно, алкоксидных ионных пар и возрастают их дипольные моменты. В результате алкоксиды и тиоляты образуют ионные пары только контактного типа. [11]
Показано, что с ростом толщины происходит увеличение плотности отрицательного заряда, накопленного при туннельной инжекции. Однако зависимости процессов зарядовой нестабильности системы Si - SiO2 - ФСС от толщины слоя ФСС еще до конца не исследованы. [12]
В результате такой фокусировки электронов вблизи поверхности анода повышается плотность отрицательного заряда и понижается потенциал. [13]
Для индуцирования интерферона в организме животных наиболее существенным является плотность отрицательных зарядов и ММ полианионов. [14]
Например, при появлении анионной вакансии в решетке снижается плотность отрицательного заряда в той области катионной подрешетки, которая расположена вокруг этой вакансии. Это снижает на величину v ( рис. 28) энергию электронов для соответствующей области дефектной решетки. Так как дефекты решетки локализованы в пространстве, уровень е на рис. 28 является локальным уровнем, в то время как нахождение электрона в зоне проводимости означает просто его принадлежность к катионной подрешетке, по которой электрон движется с постоянной скоростью. В связи с тем, что при образовании вакансии из решетки удаляется не анион, а нейтральный атом, остающийся электрон захватывается катионной подрешеткой. Электрон в основном состоянии занимает уровень е, так как это отвечает наинизшему уровню энергии электрона в катионной подрешетке. При термическом возбуждении электрон может покинуть локальный уровень е и перейти в свободную зону. [15]
Страницы: 1 2 3 4