Плотность - ток - насыщение
Cтраница 2
Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также, исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда в прилегающих к р - / г-переходу областях. [16]
Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей в прилегающих к электронно-дырочному переходу областях. [17]
Это выражение для плотности тока насыщения можно также получить исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда от невыпрямляющих контактов к электронно-дырочному переходу по прилегающим к переходу областям. [19]
Установлено, что плотность тока насыщения / в газе определяется по формуле JH Qn0l, где / - расстояние между электродами разрядной трубки. [20]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода при разных обратных напряжениях, поясняющее увеличение обратного тока в диоде с тонкой базой. [21] |
Это выражение для плотности тока насыщения можно также получить, исходя из того, что обратный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда от омических переходов к р-и-переходу по прилегающим к переходу областям. [22]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода с толстой базой при разных напряжениях. [23] |
Это выражение для плотности тока насыщения в диоде с толстой базой можно получить также, исходя из того, что обрат - ный ток обусловлен только диффузией неосновных носителей заряда в прилегающих к р-я-переходу областях. [24]
Так как температура и плотность тока насыщения различии в разных местах поверхности катода и так как в области насыщения появляется электростатическая эмиссия, то явно выраженное насыщение не наступает. [26]
Как видно из соотношения (14.5), плотность тока насыщения в газе пропорциональна длине / газоразрядного промежутка. Это связано с возрастанием плотности тока отрицательных ионов на пути от катода К к аноду Лис увеличением плотности тока положительных ионов нр пути от анода к катоду. [27]
Чтобы получить точные результаты, необходимо определить плотность тока насыщения, экстраполируя приложенное поле к нулю. Поскольку уменьшение работы выхода пропорционально F1 2, обычно строят график зависимости In / от F1 2 и полученную прямую экстраполируют до значения V 0 для каждой температуры катода. [28]
Уменьшение работы выхода приводит к резкому увеличению плотности тока насыщения. [29]
В заключение можно отметить, что значение плотности тока насыщения определяется меньшей из двух величин - диффузионной длиной или толщиной базы. [30]
Страницы: 1 2 3 4