Плотность - ток - насыщение
Cтраница 4
Когда потенциал анода становится настолько большим, что все электроны, испускаемые катодом за каждую единицу времени, попадают на анод, ток достигает своего максимального значения и перестает зависеть от анодного напряжения. Плотность тока насыщения js, т.е. сила тока насыщения на каждую единицу поверхности катода, характеризует эмиссионную способность катода, которая зависит от природы катода и его температуры. [46]
Температурная зависимость напряжения на тиристорах в открытом состоянии мало чем отличается от соответствующей зависимости напряжения на силовых диодах. Плотности токов насыщения переходов также экспоненциально увеличиваются при этом с ростом температуры. Благодаря этому при неизменном значении плотности тока в открытом состоянии падения напряжения на переходах практически линейно уменьшаются с ростом температуры. [47]
Число электронов в металле, способных преодолеть потенциальный барьер на поверхности и выйти в вакуум, быстро увеличивается при повышении температуры. Поэтому и плотность тока насыщения очень сильно зависит от температуры. [48]
Здесь С - постоянная, различная для разных металлов. Эта формула выражает зависимость плотности тока насыщения катода от температуры и известна в литературе под названием формулы. [49]
 |
Зависимость термоэлектронного тока насыщения от температуры. [50] |
Здесь С - постоянная, различная для разных металлов. Эта формула выражает зависимость плотности тока насыщения катода от температуры и известна в литературе под названием формулы Ричардсона. Приведенный выше вывод был основан на представлениях классической электронной теории. [51]
Каковы же расчетные ожидаемые значения КПД СЭ с одним р-тг-переходом на основе кремния и арсенида галлия при современном уровне технологии получения этих материалов. Ответ на этот вопрос зависит от степени близости значений плотности тока насыщения i0, реализуемых в приборах, к минимально возможным значениям i Omta. [52]
Это уравнение показывает ( в рамках принятых допущений), изменения каких параметров вызывают увеличение Voc. Это, во-первых, высота барьера - наиболее важный параметр, определяющий плотность тока насыщения Joe основных носителей заряда; во-вторых, диодный коэффициент А, который в данной модели характеризует отношение V / VS ( названное Фонашом распределением поля); в-третьих, Joe и / /, зависящие от коэффициентов прозрачности барьера f е и У /, для туннелирующих носителей. Все эти параметры наиболее существенно влияют на термоэмиссионную составляющую диодного тока. Рассмотрим их более подробно. [53]
Из равенства ( 8) вытекает, что плотность тока / не зависит от напряженности поля Е, а следовательно, и от разности потенциалов 1 / 1 - К) между электродами. Плотность тока / является максимально возможной при данных условиях ( данных Ди, q и /) и называется плотностью тока насыщения. [54]
При увеличении анодного напряжения ток возрастает до некоторого максимального значения /, ж, называемого током насыщения. Это означает, что почти все электроны, покидающие катод, достигают анода, поэтому дальнейшее увеличение напряженности ноля не может привести к увеличению термоэлектронного тока. Следовательно, плотность тока насыщения характеризует эмиссионную способность материала катода. [55]
При увеличении анодного напряжения ток возрастает до некоторого максимального значения / нас, называемого током насыщения. Это означает, что почти все электроны, покидающие катод, достигают анода, поэтому дальнейшее увеличение напряженности поля не может привести к увеличению термоэлектронного тока. Следовательно, плотность тока насыщения характеризует эмиссионную способность материала катода. [56]
При увеличении анодного напряжения ток возрастает до некоторого максимального значения / с, называемого током насыщения. Это означает, что почти все электроны, покидающие катод, достигают анода, поэтому дальнейшее увеличение напряженности поля не может привести к увеличению термоэлектронного тока. Следовательно, плотность тока насыщения характеризует эмиссионную способность материала катода. [57]
Эга плотность тока создается всеми ионами, порождаемыми ионизатором в заключенном между электродами столбе газа с единичным поперечным сечением. Следовательно, эта плотность тока является наибольшей при данной интенсивности ионизатора и заданном расстоянии / между электродами. Ее называют плотностью тока насыщения / нас. [58]
Страницы: 1 2 3 4