Cтраница 3
Уменьшение работы выхода приводит к резкому увеличению плотности тока насыщения. [31]
Таким образом, в диоде с толстой базой плотность тока насыщения не зависит от напряжения. [33]
Из выражения ( 146) видно, что плотность токов насыщения р - п перехода определяется концентрациями неосновных носителей заряда в соприкасающихся кристаллах. [34]
Таким образом, в диоде с толстой базой плотность тока насыщения не зависит от напряжения. [36]
С увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях плотность тока насыщения в соответствии с (3.2) должна уменьшиться. [37]
Чтобы лучше осознать этот вывод, надо учесть, что плотность тока насыщения в соответствии с (3.2) пропорциональна rif. Так, в кремниевых диодах обратный ток определяется током генерации, а в германиевых диодах - током насыщения. [39]
А - параметр ВАХ, меняющийся для разных отрезков графика от 1 до 2; i0 - плотность тока насыщения, характерная для данного отрезка. [40]
При собирании ионов под действием сильного электрического поля ( 4) практически все образующиеся в междуэлектродном объеме ионы достигают электродов, и плотность тока насыщения js становится пропорциональной скорости образования ионов. [41]
![]() |
Распределение потенциалов и концентраций зарядов в диоде при прямом и обратном напряжениях. [42] |
Плотность js уже при достаточно малых значениях отрицательного напряжения на p - n - переходе достигает предельного значения ( при неизменной температуре диода), поэтому ее называют плотностью тока насыщения. [43]
Сравнивая германиевые и кремниевые диоды и учитывая разницу в собственных концентрациях носителей в германии и кремнии, которая составляет три порядка ( см. § 1.4), следует заключить, что плотность тока насыщения в кремниевых диодах должна быть меньше на шесть порядков. [44]
Чтобы найти значения хт и Vm для подстановки в формулы ( 39 37) и ( 39 38), необходимо знать плотность полного тока термоэлектронной эмиссии катода или, другими словами, плотность тока насыщения диода. [45]