Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Нет ничего быстрее скорости света. Чтобы доказать это себе, попробуй открыть дверцу холодильника быстрее, чем в нем зажжется свет. Законы Мерфи (еще...)

Плотность - ток - насыщение

Cтраница 3

Уменьшение работы выхода приводит к резкому увеличению плотности тока насыщения.  [31]

Распределение концентрации неосновных носителей в базе диода с толстой базой при разных напряжениях.| Обратные ветви вольт-амперных характеристик диодов с толстой и с тонкой базой с учетом экстракции неосновных носителей заряда из прилегающих к / ь / г-переходу областей.| Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода при разных обратных напряжениях, поясняющее неизменность обратного тока ( тока насыщения в диоде с толстой базой при экстракции неосновных носителей.  [32]

Таким образом, в диоде с толстой базой плотность тока насыщения не зависит от напряжения.  [33]

Из выражения ( 146) видно, что плотность токов насыщения р - п перехода определяется концентрациями неосновных носителей заряда в соприкасающихся кристаллах.  [34]

Обратные ветви В АХ диодов с толстой и с тонкой базой при учете экстракции неосновных носителей заряда нз прилегающих к p - n - переходу областей.| Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода при разных обратных напряжениях, поясняющее неизменность обратного тока ( тока насыщения в диоде с толстой базой при экстракции неосновных носителей.  [35]

Таким образом, в диоде с толстой базой плотность тока насыщения не зависит от напряжения.  [36]

С увеличением концентрации примесей в прилегающих к переходу областях плотность тока насыщения в соответствии с (3.2) должна уменьшиться.  [37]

Зависимости от напряжения составляющих тока через диод, вызванных только процессами инжекции и экстракции носителей заряда через р-п-переход ( I и процессами рекомбинации и генерации носителей заряда в р-п-переходе ( 2.  [38]

Чтобы лучше осознать этот вывод, надо учесть, что плотность тока насыщения в соответствии с (3.2) пропорциональна rif. Так, в кремниевых диодах обратный ток определяется током генерации, а в германиевых диодах - током насыщения.  [39]

А - параметр ВАХ, меняющийся для разных отрезков графика от 1 до 2; i0 - плотность тока насыщения, характерная для данного отрезка.  [40]

При собирании ионов под действием сильного электрического поля ( 4) практически все образующиеся в междуэлектродном объеме ионы достигают электродов, и плотность тока насыщения js становится пропорциональной скорости образования ионов.  [41]

Распределение потенциалов и концентраций зарядов в диоде при прямом и обратном напряжениях.  [42]

Плотность js уже при достаточно малых значениях отрицательного напряжения на p - n - переходе достигает предельного значения ( при неизменной температуре диода), поэтому ее называют плотностью тока насыщения.  [43]

Сравнивая германиевые и кремниевые диоды и учитывая разницу в собственных концентрациях носителей в германии и кремнии, которая составляет три порядка ( см. § 1.4), следует заключить, что плотность тока насыщения в кремниевых диодах должна быть меньше на шесть порядков.  [44]

Чтобы найти значения хт и Vm для подстановки в формулы ( 39 37) и ( 39 38), необходимо знать плотность полного тока термоэлектронной эмиссии катода или, другими словами, плотность тока насыщения диода.  [45]

Страницы:      1    2    3    4