Плотность - ионный ток
Cтраница 2
Меняя величину плотности ионного тока, проходящего через стекло, можно регулировать поток ионов, которые поступают в слой сурьмы в 1 сек. [16]
Таким образом, плотность ионного тока в детекторе должна быть пропорциональна парциальному давлению ионизирующегося компонента в газовой фазе при условии, что остальные компоненты практически не ионизируются. [17]
Я где / - плотность ионного тока, q и т - заряд и масса ионов, а Я - их свободный пробег. [18]
Обозначим через iek и ipk плотность электронного и ионного тока на катоде. [19]
Отсюда следует линейная зависимость между логарифмом плотности ионного тока и потенциалом при постоянной толщине пленки. Экспериментальная проверка этой зависимости осуществлена на железе следующим образом. Сначала пассивируют железо в растворе серной кислоты ( 0 5 кмоль / м3) при потенциале 1 0В до установления постоянной плотности тока. [20]
Скорость распыления электрода в разряде определяется плотностью ионного тока на электрод и энергетическим распределением бомбардирующих электрод ионов. Последнее при заданном давлении газа ( точнее, плотности газа) зависит от величины приэлектродного падения потенциала и ширины области, в которой сосредоточен при-электродный скачок потенциала. Естественно, что значение всех этих характеристик разряда необходимо для анализа процесса распыления. [21]
Нельзя изменять независимо энергию бомбардирующих ионов, плотность ионного тока и давление газа. [22]
Коэффициент распыления не зависит от времени распыления вещества, плотности ионного тока и давления газа. Изменение коэффициента распыления N с увеличением Е происходит по сложному закону. Одни авторы рекомендуют считать, что N: Е ( при энергии до нескольких сотен электроновольт), другие, что N In Е для энергии в несколько килоэлек-троновольт. При дальнейшем увеличении энергии наступает максимум N, а далее коэффициент распыления уменьшается с ростом Е, что объясняется увеличением потерь на неупругие соударения. Nmax сдвигается в сторону больших значений Е при увеличении массы тг. [23]
 |
Конструктивные схемы магнитораз-рядного насоса. а - диодный насос с ребристым катодом. б - триодный насос / - корпус. 2 - анод. 3 - катод. 4 - изолятор. 5 - магнит. 6 - вход газа в насос. [24] |
Полагают, что это явление связано с изменением распределения плотности ионного тока по поверхности катода, побуждаемое любыми изменениями условий работы насоса, будь то колебания напряжения в сети или естественное изменение давления откачиваемого газа и его состава. При этом происходит превышение распыления над напылением титана в тех местах, где при нормальных условиях происходило накапливание геттера, и выделение ранее поглощенного в этих местах газа. Наличие канавок на поверхности катода елзет ее более неоднородной в отношении ионной бомбардировки. На дне канавок напыление титана всегда превосходит его распыление и поэтому там аргон эффективно замуровывается. Применение ребристых катодов примерно в пять раз повышает быстроту действия насоса по аргону, но снижает ресурс его работы. Они состоят из многоячеистого анода, с обеих сторон которого расположены тоже ячеистые титановые катоды. Анод и катоды помещены внутри корпуса насоса, который является коллектором ионов. Часть движущихся из области анода 2 ионов попадает на ячеистые катоды 3, интенсивно распыляя их. Основная же масса ионов проходит сквозь отверстия ячеек катода, замедляется в его электрическом поле и попадает на коллектор. [25]
Аналогично плотности беспорядочного электронного тока может быть введено понятие плотности беспорядочного ионного тока. [26]
Как следует из (8.4), скорость изменения напряжения прямо пропорциональна плотности ионного тока и, следовательно, чем меньше плотность тока, тем медленнее растет оксид. [27]
Здесь пе - концентрация электронов на оси трубки, 1р - плотность ионного тока на стенку, а - число ионизации в плазме, приходящихся на один электрон в 1 сек, Е - продольный градиент поля в плазме. [29]
Плотность электронного тока / ск быстро нарастает от слоя 1 к слою 3, а плотность ионного тока / jK увеличивается в направлении к катоду. [30]
Страницы: 1 2 3 4