Плотность - ионный ток
Cтраница 4
Наконец, имеется возможность управлять распределением примеси во всех трех измерениях путем изменения энергии ионов, применять сканирование ионного луча и защитные маски; возможность получать легированные слои под поверхностью, в объеме полупроводника ( скрытые распределения); точно дозировать примеси за счет изменения плотности ионного тока в пучке и времени облучения; вводить их через диэлектрические и металлические покрытия ( при соответствующем выборе режима); вводить примеси в количестве, превышающем равновесную концентрацию при температуре легирования. [46]
Совокупность расчетных и экспериментальных данных позволяет выделить три режима взаимодействия мощного ионного пучка с твердотельной мишенью. При плотности ионного тока ниже 40 А / см2 определяющим механизмом релаксации энергии пучка в металле является теплопроводность. [47]
Рассмотрим взаимодействие капли с коллективизированной плазменной струей, созданной ансамблем одновременно функционирующих эктонов. Для оценки плотности ионного тока воспользуемся данными работы [9], согласно которым диаметр катодного пятна при токе 100 А составляет 10 мкм. [48]
Состав ионного пучка при условии преобладающего химического воздействия оказывает решающее влияние на селективность и скорость травления материалов. Скорость процесса зависит от плотности ионного тока, давления и расхода активного газа, угла падения и других факторов и ограничивается выделяемой на подложке мощностью. С) стойкость органических масок значительно снижается. [49]
Магнетронные распылительные системы относятся к системам распыления диодного типа. Высокая скорость распыления достигается увеличением плотности ионного тока за счет локализации плазмы у распыляемой поверхности мишени с помощью сильного поперечного магнитного поля. [50]
В § 27 было показано, как можно найти плотность ионного тока на зонд. Эту же величину можно найти теоретически. Если ионы, как мы это предположили для низких давлений, рекомбинируют только на стенках, то ионный ток на стенки будет равен суммарному заряду ионов, образующихся в 1 сек в столбе. [51]
 |
Схематическая диаграмма траекторий первичных и вторичных ионов для пластин с большим поверхностным сопротивлением. [52] |
Плотность почернения зависит главным образом от первичного заряда ионов, плотности ионного тока и сопротивления пластины. При бомбардировке ионно-чувствительного слоя первичными ионами образуются отраженные первичные и различные вторичные частицы: электроны, положительные и отрицательные ионы и нейтральные частицы, причем две последние категории характерны в основном для желатинного покрытия и зерен AgBr. В случае высокой плотности первичного тока на поверхности образуется положительный потенциал в несколько тысяч вольт, который затем служит источником вторичных ионов. Поле магнитного анализатора вынуждает ионы двигаться по полукруговой траектории ( рис. 4.8) и образует спектр вторичных ионов, сдвинутый в направлении больших масс относительно первичных линий. [53]
По мнению ряда исследователей [44], способ осаждения пленок из ионных пучков может быть достаточно производительным при правильном подборе исходных соединений. Скорость осаждения пленок из ионных пучков г существенно зависит от природы ионов, состава конденсируемой пленки, энергии ионов и плотности ионного тока. [54]
В) г и превращаются в отрицательные ионы. Если энергия электронов, попадающих в зону проводимости, невысока ( нет горячих электронов), отношение ионного и полного токов сквозь окисел может приближаться к единице. Концентрация ловушек, необходимая для обеспечения плотности ионного тока 10 А / м2 ( обычно используются еще меньшие значения), близка к 1022 м - 3, что на несколько порядков меньше значения, найденного экспериментально. [55]
К достоинствам этого метода легирования относятся: 1) возможность введения любой примеси и при любой температуре, причем в концентрациях, превышающих обычный предел растворимости; 2) строгий контроль числа введенных атомов примеси и 3) возможность локализации области легирования. Было установлено, что имплантация ионов фтора с энергией 50 кэВ при дозе облучения 3 1 - Ю12 - 3 1 - Ю17 ион / см2 и при плотности ионного тока 0 4 - 1 2 мкА / см 2 с последующим отжигом пленок при температуре 400 С в течение 30 мин дает устойчивый донорный эффект. [56]
При частотах 107 Гц и выше ион аргона на пути из плазмы к мишени не может пройти всю ионную оболочку за один период, и на короткое время в каждый период он оказывается в нейт-ральной плазме. Таким образом, этот ион в течение следующих один за другим периодов многократно ускоряется и никогда не испытывает замедления, поскольку в электронной оболочке с ее высокой электропровод-костью не могут поддерживаться высокие градиенты электрического поля. Для оценки наиболее приемлемого частотного диапазона в трехэлект-родной системе ВЧ распыления руководствуются следующими соображениями. Если внешний или внутренний конденсатор имеет очень малую емкость, то он в результате ионной бомбардировки мишени очень быстро теряет свой заряд. Так, при емкости такого конденсатора 10 пФ / см2 и плотности ионного тока 10 мА / см2 скорость изменения напряжения на конденсаторе составляет 109 В / с. Если изменения напряжения иа конденсатора за период не превышают 100 В, то следует работать на частотах выше 10 МГц. [57]
Во время послойного анализа твердых тел вещество распыляется с относительно большой площади поверхности пробы ( 100 - 300 мм2), поэтому влияние неоднородности распределения примесей на результаты послойного анализа уменьшается. Алюминиевая пленка исключает зависимость УСЛОВИЙ нскрооб-разования от сопротивления пробы. Энергия, выделяющаяся на электродах в момент пробоя вакуумного промежутка, поддерживается постоянной благодаря регулированию межэлектродного зазора. Об этом, в частности, свидетельствует сравнительно высокая стабильность ионного тока. Кроме того, в течение всего эксперимента практически не изменяется местоположение искрового разряда относительно входной щели масс-анализато-ра, поэтому остается постоянным распределение плотности ионного тока по сечению пучка и улучшается точность измерения экспозиции коллектором монитора. [58]
Страницы: 1 2 3 4