Плотность - элемент
Cтраница 3
 |
Транзистор с нели - [ IMAGE ] Ячейка ТТЛ с транзистором. [31] |
Разработана также система элементов ТТЛ с низким напряжением питания [9] и, следовательно, малым потреблением мощности, что делает ее полезной для повышения плотности элементов на кремниевом кристалле и создания больших интегральных схем. Схема такой ячейки показана на рис. 8.35, а. Принцип ее работы состоит в следующем. [32]
Как следует из полученных зависимостей, условие равновесия можно обеспечить при соответствии отношения длин ходов труб и штанг параметру уравновешенности kp, являющемуся функцией плотностей элементов внутрискважинного оборудования и столба жидкости. [33]
Исследования Дюма и Митчерлиха о плотности серы, фосфора и мышьяка в некоторой степени подорвали доверие Берцелиуса к объемному методу, как методу для непосредственного определения атомного веса по плотности элементов в газообразном состоянии. Сам Берцелиус не считал, что его система основана только на объемном методе, и всегда подчеркивал, что он против одностороннего, однозначного подхода к вопросу об атомных весах. [34]
Формирование изображения в электронном микроскопе обусловливается тем, что электроны, пройдя через элемент объекта и соударяясь с частицами, рассеиваются под разными углами, зависящими от произведения толщины на плотность элемента объекта: чем толще или плотнее объект, тем больше угол рассеяния. [35]
Серьезные задачи перед микроэлектронной технологией ставит необходимость изготовления ИС со степенью интеграции отдельных элементов от 106 до 107 и даже больше при размере структур менее 1 мкм, что неизбежно при таком уровне плотности элементов. На это накладываются проблемы, связанные непосредственно с функционированием самого элемента. [36]
На процесс информационного поиска [6], являющегося важным этапом сенсорной деятельности при решении задач и включающего в себя операции обнаружения объекта восприятия, выделение его основных, с точки зрения возникающей задачи, признаков и опознавание объекта, влияют [61]: общий объем отображения ( число элементов в информационном поле); оперативный объем отображения ( число элементов, относящихся к решаемой задаче); структура информационного поля; плотность элементов. При этом выявлено увеличение дисперсии времени информационного поиска при увеличении общего объема отображения. Однако в этом исследовании не моделировались мыслительные оперативные задачи, поэтому полученные зависимости являются относительно частными и не отражают всего процесса решения оперативных задач. [37]
Сформулировано условие () на множество проекторов в С - алгебре А, заключающееся в том, что с точностью до эквивалентности проекторы в алгебре А образуют подрешетку в решетке проекторов объемлющей И - алгебры. Плотность обратимых самосопряженных элементов в множестве всех самосопряженных элементов С - алгебры А ( свойство RR ( A) - 0) вместе с условием () обеспечивают слабую диагонализацию. [38]
Динамика ценопопуляций включает изменения во времени всех аспектов структуры. Численность и плотность элементов ценопопуляций зависят от соотношения рождаемости и смертности; в отдельных случаях существенное значение в изменении этих показателей может иметь эмиграция и иммиграция. Смертность определяется в первую очередь комплексом экологических факторов. [39]
Важным показателем качества технологии и конструкции является плотность элементов на кристалле-число элементов, приходящихся на единицу его площади. Для повышения плотности элементов применяют метод совмещения: некоторые области полупроводникового слоя используют для выполнения нескольких ( обычно двух) функций, например базы биполярного п-р - п транзистора и коллектора р-п - р транзистора, стоковой области одного МДП-транзистора и истоковой области другого. С этой же целью проводятся исследования и разработки трехмерных структур: элементы изготавливают в нескольких ( обычно двух) слоях кремния, разделенных диэлектрическими прослойками, или создают канавки в кремниевой подложке и формируют элементы на их боковых поверхностях. [40]
Считая, что плотности элементов в газообразном состоянии должны быть пропорциональны их атомным весам, он применил объемные законы Гей-Люссака для определения веса элементарных объемов, как он назвал в то время атомные веса. Гей-Люссак - писал Берцелиус - открыл, что газы соединяются или в равных частях или количество одного будет кратным к количеству другого... [41]
Для достижения большей точности желательно выбирать меньшие размеры элементов в тех местах, где сильнее всего изменяется плотность заряда, например вблизи зазоров между электродами. Однако, если плотность поверхностных элементов слишком велика, точность падает из-за ошибок округления. Точность может быть повышена с помощью аппроксимации плотности заряда непрерывной функцией вместо функции, терпящей разрывы на границах элементов. [42]
Микротрещины закалочные получаются при хрупком разрушении, например, в иглах мартенсита под действием структурных напряжений. При структурных изменениях меняются плотности элементов структур, что приводит к изменению объема этих элементов и появлению структурных напряжений. Выглядят они как внутренние микротрещины, часто по границам крупных зерен аустенита. [43]
Значения / j постепенно увеличиваются с возрастанием Z до тех пор, Пока Z не достигает значения, характерного для благородного газа, а затем при переходе к следующему элементу падает примерно на одну четвертую значения для благородного газа. Периодичность изменения другого свойства - плотности элементов в твердом состоянии-показана на рис. 5.13. Такое периодическое повторение свойств элементов с увеличением порядкового номера становится особенно наглядным, если элементы расположить в виде таблицы, называемой периодической таблицейялж периодической системой элементов. Было предложено и находит применение много разных форм периодической системы. [44]
В конце главы приведены данные о плотности элементов, их кристаллических структурах и полиморфных превращениях. [45]
Страницы: 1 2 3 4