Плотность - элемент
Cтраница 1
Плотность элементов в микромодуле может достигать до десятков элементов в 1 см3, при столь высокой плотности монтажа затрудняется отвод тепла от нагревающихся деталей, что является недостатком мнкромодульной конструкции. [1]
Плотность элементов исполнительного устройства проверяют при подаче в мембранную или поршневую полость избыточного давления 0 25 МПа. При падении давления на 0 01 МПа в течение 15 мин плотность исполнительного устройства считается неудовлетворительной. [2]
Увеличение плотности элементов на кристалле и соответственно числа выводов делает особенно трудоемкой операцию внутреннего монтажа проволочных перемычек и проволочных выводов компонентов гибридных интегральных схем ( ГИС), при котором производится единичная сварка или пайка каждого отдельного проводника. [3]
Производится для проверки плотности элементов котла, подверженных внутреннему давлению. [4]
 |
Первая регистрация ( Лилли и др., 19666 рекомбинационных радиолиний гелия в М-17 - спектры линий Н159а и Не159а с дополнением. [5] |
В тексте мы используем соотношение численной плотности элементов, выражая его в этом случае буквами ж, у и г, что более близко к соотношению интенсивностей излучения РРЛ. Для удобства авторы иногда используют у Nue / Nu, что конечно является приближением формального определения у, но вполне возможно, так как водород является преобладающим элементом. [6]
Важным показателем качества технологии и конструкции является плотность элементов на кристалле-число элементов, приходящихся на единицу его площади. Для повышения плотности элементов применяют метод совмещения: некоторые области полупроводникового слоя используют для выполнения нескольких ( обычно двух) функций, например базы биполярного п-р - п транзистора и коллектора р-п - р транзистора, стоковой области одного МДП-транзистора и истоковой области другого. С этой же целью проводятся исследования и разработки трехмерных структур: элементы изготавливают в нескольких ( обычно двух) слоях кремния, разделенных диэлектрическими прослойками, или создают канавки в кремниевой подложке и формируют элементы на их боковых поверхностях. [7]
Атомный объем выражается соотношением массы атома и плотности элемента. [8]
Причиной движения в этом случае является разность плотностей элементов жидкости, а движущей силой - подъемная сила. Величина подъемной силы, действующей на единицу объема жидкости, равна разности удельных весов нагретой и более холодной жидкости. [9]
Атомный объем, выраженный отношением атомной массы к плотности элемента, только приблизительно отражает действительный объем атомов, поскольку он включает и межатомное пространство ( в различных агрегатных состояниях элементов) при температуре измерения плотности. [10]
 |
Изменение атомных и ионных радиусов в зависимости от атомных номеров. [11] |
Атомным объемом называется отношение между атомным весом и плотностью элемента. Эта величина, естественно, лишь приближенно отражает реальный объем атомов, поскольку она включает и пространство между атомами в различных агрегатных состояниях элементов при температуре измерения плотности. [12]
Таким образом, не существует определенной зависимости между плотностью элементов и плотностью образуемых ими гидридов, поэтому для нахождения последней нельзя использовать кривую атомных объемов Лотара-Мейера. Для этого требуются опытные данные. [13]
Уменьшение длины и ширины пленочных проводников ведет к увеличению плотности элементов в микросхеме; кроме того, уменьшение сечения проводников приводит к увеличению падения напряжения на них. Таким образом, создание многослойной системы проводников требует учета всех факторов, влияющих на схемотехнические параметры БИС. [14]
Таким образом расходимость поля скоростей v дает относительное изменение плотности элемента жидкости, находящегося в данном месте, - изменение, отнесенное к единице времени. [15]
Страницы: 1 2 3 4