Cтраница 4
Проходя через металл отливки, рентгеновские лучи частично поглощаются им, частично пронизывают металл, частично отражаются многочисленными поверхностями металлических кристаллов, давая рассеянное вторичное рентгеновское излучение. Интенсивность поглощения рентгеновских лучей металлом зависит от плотности элемента и от его места в Периодической системе элементов Д. И. Менделеева, от атомного номера. Чем больше атомный номер просвечиваемого элемента, тем больше он поглощает рентгеновских лучей. Поглощенная энергия рентгеновских лучей вызывает появление скрытого изображения за счет изменений бромистого серебра, находящегося в эмульсии, и превращения его в металлическое состояние на экране установки или фиксирования изображения на фотопленке. [46]
Энтропия сообщений зависит от закона распределения вероятностей. Следовательно, для повышения эффективности необходимо осуществить перераспределение плотностей элементов сообщения. [47]
Формирование микроструктуры преимущественно обусловлено явлениями, протекающими вдали от термодинамического равновесия. Их описание на основе традиционных подходов с использованием плотности микроструктурных элементов затруднительно. [48]
Интенсивность света, рассеянного жидкостью, не является простой суммой вкладов независимо рассеивающих элементов. Эйнштейн показал, что рассеяние света жидкостями связано со статистическими флуктуа-циями плотности элементов объема, малых по сравнению с длиной волны падающего света. Кроме того, в растворе наблюдаются также и статистические флуктуации концентрации растворенного вещества. При изучении полимеров только они и представляют интерес. [49]
Ионы металлов, входящие в состав проявителя, могут адсорбироваться на поверхности подложки и при последующей термодиффузии примесей в подложку вызывать дефекты полупроводниковых структур. Для сверхбольших интегральных схем отрицательное влияние удерживания подвижных ионов металлов особенно велико и повышается с ростом плотности элементов схемы. Поскольку проявление позитивных резистов проводится растворами щелочей, требуется хорошая промывка подложки после проявления. Заметна тенденция использовать растворители, не содержащие ионов металлов, и для проявления позитивных резистов, так как при этом меньше вносится всевозможных загрязнений. [50]
Ионы металлов, входящие в состав проявителя, могут адсорбироваться на поверхности подложки и при последующей термодиффузии примесей в подложку вызывать дефекты полупроводниковых структур. Для сверхбольших интегральных схем отрицательное влияние удерживания подвижных ионов металлов особенно велико и повышается с ростом плотности элементов схемы. Поскольку проявление позитивных резистов проводится растворами щелочей, требуется хорошая промывка подложки после проявления. Заметна тенденция использовать растворители, не содержащие ионов металлов, и для проявления позитивных резнстов, так как при этом меньше вносится всевозможных загрязнений. [51]