Плотность - дефект - упаковка
Cтраница 1
Плотность дефектов упаковки резко возрастает, если с поверхности подложки окисный слой не удален. В условиях высокой чистоты эксперимента удается осаждать бездефектные пленки кремния. [1]
Плотность дефектов упаковки в пленках возрастает более чем на порядок при переходе от необработанных плоскостей скола к химически протравленным поверхностям, на которых пленки имеют плотность дефектов упаковки около 100 см-2. Эти данные свидетельствуют о том, что даже после газового травления подложек на их поверхности остаются загрязнения, способствующие образованию дислокаций и дефектов упаковки. На свежих плоскостях скола количество окисла и других загрязнений минимально. [2]
Плотность дефектов упаковки в слоях на химически протравленной затравке арсенида галлия равна 3 - Ю4 см-2 и на два порядка выше, чем в автоэпитаксиальных пленках. [3]
Плотность дефектов упаковки невоспроизводимо менялась от образца к образцу в пределах 108 - 108 см-2. [4]
 |
Изменение плотности дефектов упаковки в зависимости от ориентации подложки ( штрихами показана теоретическая кривая. [5] |
Влияние ориентации подложки на плотность дефектов упаковки зависит от многих факторов. В опытах с использованием химически полированных подложек плотность дефектов упаковки мала ( 10 - 100 см-2) и ориентационный эффект отсутствует. В другой серии опытов с механически полированными подложками наблюдалась сильная ориентационная зависимость плотности ( рис. 2.29), однако воспроизводимость этих результатов была недостаточно высокой чтобы рассматривать их количественно. [6]
Рассмотрим результаты влияния различных факторов на плотность дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях кремния. [7]
 |
Влияние наличия примесей 02 и N в водороде при обработке подложки на плотность дефектов упаковки в пленке, выращенной на этой подложке. [8] |
Даже если подложка имеет совершенную структуру, плотность дефектов упаковки будет зависеть от взаимодействия активной газовой среды, в которой происходит осаждение с поверхностью подложки. [9]
На рис. 2.31 представлены данные о зависимости плотности дефектов упаковки от скорости роста для автоэпитаксиальных слоев, полученных восстановлением SiCl4 водородом ( t 1200 С. [10]
Расчеты на основе этой простой модели [26] позволили определить плотность дефектов упаковки в зависимости от угла, изображенную на рис. 2.29 штриховой линией. Эта зависимость удовлетворительно согласуется с экспериментальными результатами. [11]
Предварительное окисление поверхности подложки ( t 300 СГ t 10 час) резко увеличивает плотность дефектов упаковки, выявляемых в виде треугольных фигур на поверхности слоя. Более того, если процесс осаждения прервать и образцы извлечь на воздух, выдержав их 15 мин при 150 С, то при последующем росте образуются новые фигуры, зародившиеся на границе между первым и вторым слоем. [12]
При обратном переносе кремния направление первоначального переноса Si02 не меняется, благодаря чему можно ожидать понижения плотности дефектов упаковки в растущем слое. [13]
Изучение эпитаксиальных слоев, наращенных после химической полировки подложек, показало, что в этом случае отсутствуют пирамиды роста, плотность дефектов упаковки снижается на порядок, плотность дислокадиИ не превышает их плотности в подложке. Для выяснения влияния структурного совершенства эпитаксиальных слоев на их электрофизические параметры в зависимости от подготовки подложек проводилось измерение холлов-ской подвижности носителей. Значения подвижности носителей приведены в таблице. Разница в значениях плотности дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях после обработки подложек окисью кремния и химической полировки не приводит к заметной разнице в значениях подвижности. [14]
I рода - упругие напряжения, локализованные в макрообъемах образца или всего объема ( по смещению интерференционных линий); изучать плотность хаотично расположенных дефектов упаковки ( это несовершенство влияет не только на ширину и форму линий, но и на угол отражения); оценивать смещение атомов из положения их равновесия в решетке, вызванное тепловыми колебаниями ( динамические искажения) или внедренными в решетку чужеродными атомами, а также пластической деформацией ( такие искажения решетки, паз. В методе монокристаллов также используется характеристическое рентгеновское излучение, по в нем, в отличие от метода поликристаллов и порошков, интерферирующих лучей оказывается мало, поэтому на рентгенограмме фиксируются не линии, а пятна. Если образец во время съемки вращать, то эти пята укладываются симметрично относительно вертикальной и горизонтальной линий, пересекающихся в центре фотопленки. [15]
Страницы: 1 2 3 4