Плотность - дефект - упаковка
Cтраница 2
Подчеркнем, что в опыте А при tK - 800 Сив конце опыта В при tK 550 С образуются весьма совершенные пленки с низкой плотностью дефектов упаковки и дислокаций. [16]
Многочисленные экспериментальные данные, кратко рассматриваемые далее, довольно убедительно показывают, что с ростом содержания окислов, карбидов и других примесей на поверхности плотность дефектов упаковки в пленках существенно возрастает. [17]
Плотность дефектов упаковки в пленках возрастает более чем на порядок при переходе от необработанных плоскостей скола к химически протравленным поверхностям, на которых пленки имеют плотность дефектов упаковки около 100 см-2. Эти данные свидетельствуют о том, что даже после газового травления подложек на их поверхности остаются загрязнения, способствующие образованию дислокаций и дефектов упаковки. На свежих плоскостях скола количество окисла и других загрязнений минимально. [18]
О том, что условия подготовки подложки очень сильно влияют на появление дефектов упаковки, свидетельствует такой факт: при промывке подложек в дистиллированной воде, вместо деионизо-ванной, плотность дефектов упаковки увеличивается примерно в 100 раз. [19]
Авторы работы [167] изучили структуру эпитаксиальных пленок кремния непосредственно в процессе их отжига в электронном микроскопе при температуре до 1200 С в вакууме 10 - 4 мм рт. ст. Ниже 700 С никаких изменений плотности дефектов упаковки не происходит. При более высоких температурах ( 700 - 1200 С)) наблюдается частичный отжиг дефектов. Он происходит путем мгновенного исчезновения наблюдаемого несовершенства. [20]
Отчет о работе должен содержать: 1) описание принципа эпитаксиального осаждения германия методом диспропорцио-нирования субиодида 2) принципиальную схему установки и технологический режим процесса; 3) данные по определению толщины эпитаксиальной пленки; 4) описание характерных особенностей микроструктуры и микрофотографии; 5) результаты определения плотности дефектов упаковки и дислокаций в виде таблицы; 6) выводы по работе. [21]
 |
Элоктронограмма многослоГшой структуры. [22] |
Металлографические исследования показывают, что полученные структуры содержат дефекты роста с достаточно низкими плотностями. Так, плотность дефектов упаковки в слоях составляет О-102 см-2, а плотность дислокаций - 0 - 105 см-2. Наблюдения сколов структур со слоями толщиной - 1 мкм показывают, что дислокации ж дефекты упаковки возникают в основном на границах слоев. [23]
Действительно, для образования дефектов упаковки на дислокациях необходимо наличие трех частичных дислокаций во взаимно пересекающихся плоскостях, а это маловероятно. На самом деле плотность дефектов упаковки в пленках, выращенных на подложках со множеством беспорядочно расположенных дислокаций, обычно невелика. [24]
 |
Зависимость плотности дефектов упаковки от условий роста ( скорость роста изменяли, регулируя концен - подложки. Вместе с тем, как и при росте. [25] |
Букер и др. сообщают о существовании оптимальной области условий роста совершенных пленок, выход из которой в сторону как больших, так и меньших скоростей ухудшает структуру. Более того, при силановом процессе плотность дефектов упаковки убывает не с уменьшением, а с увеличением скорости осаждения. [26]
С другой стороны, Нотис и Конрад [65] считают, что решающее влияние на образование дефектов упаковки оказывает скорость роста пленок. При оптимальных условиях кристаллизации слои с низкой плотностью дефектов упаковки можно осаждать даже в условиях, когда на подложке имеются окислы. [27]
Влияние ориентации подложки на плотность дефектов упаковки зависит от многих факторов. В опытах с использованием химически полированных подложек плотность дефектов упаковки мала ( 10 - 100 см-2) и ориентационный эффект отсутствует. В другой серии опытов с механически полированными подложками наблюдалась сильная ориентационная зависимость плотности ( рис. 2.29), однако воспроизводимость этих результатов была недостаточно высокой чтобы рассматривать их количественно. [28]
При высоких скоростях задержки с образованием центров кристаллизации нет, образуется сразу много зародышей ( более 1012 см-2), и окись на поверхности быстро удаляется, поскольку процесс идет одновременно на большой площади, диффузии образующейся моноокиси через твердое тело не требуется, ибо окись может удаляться по границам растущих зародышей. Следовательно, последующий рост идет опять-таки на чистой поверхности с уменьшением плотности дефектов упаковки до нуля при достаточно высоких скоростях. [29]
На бездислокационной поверхности зародыши образуются реже, число мигрирующих атомов растет, а пути миграции сокращаются. Плотность вакансий увеличивается, образование их скоплений облегчается и, следовательно, плотность дефектов упаковки возрастает. [30]
Страницы: 1 2 3 4