Зарядовая плотность

Cтраница 3

Впоследствии были проведены дополнительные исследования свойств состояний с волной зарядовой плотности. В работе [1279] рассматривалась возможность того, что основным состоянием на поверхности ( 111) Si является так называемая тройная волна зарядовой плотности, характеризующаяся ненулевыми корреляторами Даса Дсео Леаа и ДЬ ( / 0 Д Дя в. Келли и Фаликов [924] вкратце рассматривали это состояние и утверждали, что оно неустойчиво по отношению к переходу в CDWa - и ( или) CDW - состояние. Однако в действительности оно может оказаться наинизшим по энергии. Поскольку тригональная симметрия поверхности здесь сохраняется, для объяснения наблюдаемой изотропии проводимости уже не требуется предполагать наличия доменной структуры. С другой стороны, утверждалось [921], что состояние с тройной волной зарядовой плотности легко преобразуется в состояние CDW при наличии малых внутренних напряжений. Было показано ( в особенности в работе [1484]), что учет этих членов приводит к большей устойчивости состояний с CDW - фазой и ( или) тройной волной зарядовой плотности по отношению к СО. [31]

Предполагалось, что взаимодействие атомов и молекул определяется зарядовой плотностью, не меняющейся при их сближении. Используя приближение свободного электронного газа и вычислив вклады кулоновских взаимодейст вий, кинетической энергии элек. Не - - - Не, Аг - - - Аг и Кг-Кг - Эти кривые, для вычисл: ния которых не потребовалось никаких эмпррических постоянных, оказались очень похожими на экспериментальные потенциалы. [32]

Согласно работам Рюденберга ( см. главу X), электронная зарядовая плотность в связевой области никак не может в точности определяться одним только суммированием наложенных друг на друга при R RPZBH контурных графиков зарядовой плотности свободных атомов: происходят натекание и отток зарядовой плотности, а с ними и изменение длины связи. Поэтому для понимания химической связи гораздо важнее знать не графики общей электронной плотности, а разностный график, дающий представление о смещениях плотности путем натекания в связевую область и оттока из области разрыхляющих связь антисвязевых облаков; учитывать надо и возможность обратного натекания в антисвязевую область их связевой. [33]

Эти ядра соединены между собой менее мощными дугообразными потоками зарядовой плотности, но потоки эти не идут по ребрам тетраэдра, а нависают над ними в виде дуг. [34]

Однако более поздние расчеты [1998 - 2000] показали, что состояние с волной зарядовой плотности является, по сути дела, электронной решеткой с большой щелью вблизи уровня Ферми. [35]

Вопрос о характере этого возмущения, а также о соотношении спиновой и зарядовой плотности почти не исследован. Здесь предстоит большая и очень важная работа. [36]

Авторам [136] удалось детально проследить за динамикой перестройки отдельных связей и зарядовых плотностей при преобразованиях структуры. Например, установлено, что заметные межслоевые связи обнаруживаются лишь на последних этапах перестройки ( p - BN - к - BN), когда система перешла энергетический барьер, слоистая структура фактически разрушена и начинает оформляться стабильная плотноупакованная фаза. [37]

Плотности веспаренного электрона. [38]

Это можно видеть и из табл. 17, в которой наряду с зарядовой плотностью неспаренного электрона в пара-положении радикала ( ре) приведены спиновые плотности ( pi), рассчитанные по методу Мак-Лачлана и найденные экспериментально из расщепления на 13С в спектрах ЭПР. [39]

Примеры коллективных колебаний электронов в плазме. а - колеблющийся слой. б - колеблющийся цилиндр. [40]

Плазменная частота характеризует скорость, с которой электростатические силы в плазме ликвидируют флуктуацию зарядовой плотности и являются одним из фундаментальных понятий в теории плазменных колебаний. [41]

Таким образом, и в этом случае наличие неспаренного электрона существенно меняет распределение электронной зарядовой плотности в системе. [42]

Заряд электрона в (27.7) ради простоты опущен, ( поскольку при определенных обстоятельствах колебания зарядовой плотности можно идентифицировать с колебаниями плотности. [43]

Особенно заметно она проявляется для s - электронов, имеющих наибольшее число внутренних максимумов зарядовой плотности. Эти максимумы, перекрываясь с главными максимумами погребенных в глубине атома s - электронов внутренних слоев оболочки, испытывают динамическую корреляцию в результате иррегулярных столкновений и под влиянием возникающих в связи с этим сил псевдопотенциала стремятся вытолкнуть главное облако своего s - дор-электрона в область, более далекую от ядра. [44]

Для построения иерархии симметрии молекулярных графов использован квантово-топологический подход, основанный на топологических свойствах зарядовых плотностей в молекулах. Показано, что структуры большого числа кластерных соединений могут быть предсказаны путем отображения их молекулярных графов на один и тот же полиэдр; соответствующие молекулярные графы строятся с помощью простого метода электронного счета. Предлагаемая модель проиллюстрирована примерами детального анализа кластеров, содержащих от 5 до 8 атомов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5