Зарядовая плотность
Cтраница 4
Возможно образование длинноволновых неоднородностей плотности фона п ( г) в виде регулярных волн зарядовой плотности ( ВЗП) или нерегулярного электростатического эха границ системы. Масштаб этих неоднородностей контролируется значением параметра А. [47]
Во-первых, при расчете полной электростатической энергии электронов мы учитываем взаимодействие каждого электрона с его собственной зарядовой плотностью. Этот член не имеет физического смысла, и его следовало бы просто вычесть. Обменное взаимодействие возникает из-за свойства антисимметрии волновых функций по отношению к перестановке пар электронов и не позволяет двум электронам с одинаковыми спинами слишком близко подходить друг к другу. Другими словами, юно понижает полную электростатическую энергию системы. Это понижение энергии обычно и называют обменной энергией. [48]
В результате электронного перехода один из этих электронов возбуждается на сильно делокализованную разрыхляющую л - орби-таль, причем зарядовая плотность на атоме азота уменьшается. Роль электростатических сил теперь становится менее существенной и водородная связь в возбужденном состоянии ослабевает, что и приводит к синему сдвигу. Немногочисленные в настоящее время экспериментальные данные по влиянию растворителей на п - о - переходы ( см., например, [2, 29, 30]) подтверждают это. [49]
По мнению Машера, более правильным является представление магнитной восприимчивости молекулы х в виде вкладов отдельных локализованных распределений зарядовой плотности электронов. Автор не отрицает, что в некоторых случаях все же возможны кольцевые токи, но считает необходимым учитывать тогда кольцевые гоки не только я-электронов, но и а-электронов. [50]
На графике набора потенциальных кривых получаются резко отличные друг от друга линии; каждой потенциальной кривой соответствует контурная диаграмма распределения зарядовых плотностей, имеющая вид сплошного пространственного облака. Чтобы увидеть, как изменяется распределение зарядовой плотности р при образовании молекулы ( в основном состоянии) из распределений в свободных невозбужденных атомах, следует рассмотреть разностную диаграмму распределения Ар, характеризующую отличие основного состояния молекулы О 2 от простого геометрического наложения друг на друга диаграмм свободных атомов. [51]
Правая часть этого уравнения согласно элементарным формулам классической электростатики представляет собой электрическое смещение D ( x), которое создается зарядовой плотностью р ( х), Для отыскания не определенной до сих пор постоянной f рассмотрим уравнение (29.11) в статическом случае. [52]
Реальная точка кристаллизации не может быть определена из результатов, относящихся к случаю однокомпонентной плазмы, поскольку при т 71 волна зарядовой плотности имеет меньшую энергию, чем кристалл, описываемый функцией ут. [53]
Приложения уравнения синус - Гордон сейчас охватывают такие различные области, как дислокации в кристаллах, джо-зефсоновские сверхпроводящие контакты, волны зарядовой плотности в одномерных органических проводниках и модели теории поля. [54]
Необходимо прибегать к вычислению конкурирующих силовых векторов и принимать во внимание тонкости той электронной корреляции движений, которая не отражается диаграммами зарядовой плотности. [55]
 |
Энергия хемосорбции атомарного водорода на металлах. [56] |
С помощью этого метода или его модификаций в разное время изучались: спектр локальных состояний, связанных с хемосорбированным атомом [40], распределение зарядовой плотности вокруг адсорбированного центра [1], косвенное взаимодействие межд атомами адсорбата [2, 41] и другие вопросы. [57]
 |
Зависимость СТС ЭПР-спектра 4-метил - 2 6-ди-трег - бутилфеноксила от природы растворителя. [58] |
Некоторое несоответствие этих параметров, очевидно, объясняется тем, что между спиновой плотностью, которая линейно связана с константами расщепления, и электронной зарядовой плотностью, которая характеризуется а-константами заместителя, иногда нет однозначного соответствия. Тем не менее, общий характер закономерности соблюдается. [59]
Эти случаи особенно интересны, так как касаются внешних валентных дор-электронов; ойи связаны с влиянием присущих s - и р-электронам внутренних, проникающих максимумов зарядовой плотности. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5