Cтраница 1
Электронная плотность с высшей заполненной тг - МО этилена переносится на вакантную ( spn) орбиталь металла ( прямое допирование XXVIaJ. Упрочнение связи достигается также за счет эффекта обратного допирования, ( дативной связи) - частичного переноса электронов с заполненной rf - орбитали металла на вакантную я - МО этилена. Строгие расчеты хорошо согласуются с общей схемой XXVI формирования связи в тг-комплексе XXV и других подобных ему структурах. Отвлечение электронной плотности со связывающей и частичное заселение антисвязывающей орбиталей этиленового фрагмента в XXV должно приводить к разрыхлению связи С С в комплексе. Действительно, если частота валентного колебания этой связи в молекуле этилена равна 1623 см - а длина связи 0 1337 им. Цейзе частота колебания связи понижается до 1511 см, а длина связи возрастает до 0 1354 нм. [1]
Электронная плотность цозия и бария значительно выше электронной плотности окружающей эти группировки среды, но размеры областей неоднородности здесь могут быть очень малы. [2]
Электронная плотность в кольце бензола распределена равномерно, заместитель нарушает эту равномерность. [3]
Электронная плотность с высшей заполненной тг - МО этилена переносится на вакантную ( spn) орбиталь металла ( прямое допирование XXVIaJ. Упрочнение связи достигается также за счет эффекта обратного допирования, ( дативной связи) - частичного переноса электронов с заполненной rf - орбитали металла на вакантную я - МО этилена. Строгие расчеты хорошо согласуются с общей схемой XXVI формирования связи в тг-комплексе XXV и других подобных ему структурах. Отвлечение электронной плотности со связывающей и частичное заселение антисвязывающей орбиталей этиленового фрагмента в XXV должно приводить к разрыхлению связи С С в комплексе. Действительно, если частота валентного колебания этой связи в молекуле этилена равна 1623 см - а длина связи 0 1337 им. Цейзе частота колебания связи понижается до 1511 см, а длина связи возрастает до 0 1354 нм. [4]
Электронная плотность и молекуле бутадиена распределена сверху и снизу ог плоскости а-свя. [5]
Электронная плотность в этой молекуле смещена в сторону кислорода карбонильной группы ( - М - эффект), Донорами электронов являются метильиая ( - ( - / - эффект) и винильная ( Л1 - эффект) группы. [6]
Электронная плотность в этой молекуле смещена в сторону кислорода карбонильной группы ( - М - эффект), Донорами электронов являются метильная ( - ( - / - эффект) и винильнан ( Л1 - эффект) группы. [7]
Электронная плотность является условной характеристикой и имеет лишь приближенный физический смысл. В действительности электронная плотность существует не только возле ядер атомов, но и в межъядерной области. [8]
Электронная плотность в этой молекуле смещена в сторону кислорода карбонильной группы ( - М - эффект), Донорами электронов являются метильная ( - ( - / - эффект) и винильнан ( Л1 - эффект) группы. [9]
Электронная плотность у протона определяется, в свою очередь, индуктивными эффектами соседних групп и атомов. Электронодонорные заместители увеличивают электронную плотность вокруг протона ( увеличивается экранирование электронами внешнего магнитного поля HQ), что приводит к сдвигу сигнала в сильное поле. Электроноакцепторные заместители действуют противоположным образом. [10]
Электронная плотность на атоме Н в результате рассматриваемого эффекта, очевидно, не изменяется. [11]
Электронная плотность на атоме азота понижается, вследствие чего затрудняется присоединение протона. [12]
Электронная плотность максимальна на атоме азота, но и на атомах углерода она больше, чем в бензоле. Реакции пиррола представлены на схеме 17.2 ( стр. [13]
Электронная плотность вокруг протона в ТМС больше, чем в ацетоне. [14]
Электронная плотность на атоме металла зависит от природы галоида и растет в ряду I, Вч С1, причем в случае никеля эта тенденция выражена значительно сильнее, чем для палладия. [15]