Площадь - эмиттер
Cтраница 1
Площади эмиттера и коллектора одинаковы по предположению. [1]
Обычно площади эмиттера и коллектора различаются в 2 - 3 раза и более, так что роль промежуточной области оказывается весьма существенной. [2]
Обычно площади эмиттера и коллектора различаются в 2 - 3 раза, так что роль промежуточной облаете оказывается весьма существенной. [3]
Возможности уменьшить площадь эмиттера будут рассмотрены ниже. [4]
Обычно площадь коллектора больше площади эмиттера, а область эмиттера легирована значительно сильнее, чем коллектора. [5]
Идеальная геометрия преобразователя, в понятие которой входят площадь эмиттера, расстояние между электродами, параметры, обеспечивающие однородность распределения температуры, расположение вспомогательных электродов или поверхностей для образования ионов и возможность контроля за концентрацией цезия, определяется факторами, которые в настоящее время трудно оценить с точки зрения оптимальной конструкции преобразователя. [6]
 |
Схема для разбраковки триодов, сильно концентрирующих ток. [7] |
В тех приборах, где ток концентрируется на маленькой площади эмиттера, при прочих равных условиях требуется более ( высокое напряжение на эмиттерном переходе, чтобы обеспечить повышенный уровень инжекции. В первом приближении напряжение на эмиттерном барьере определяется логарифмом площади, на которой распределяется ток. [8]
Как следует из рис. 7.12, при кольцевой геометрии площадь эмиттера принципиально не может быть меньше контактной площадки. По-лосковая геометрия позволяет удобно выводить контактные площадки по - а) верх маскирующего окисла и тем самым уменьшать размеры а-ктивных областей транзистора, а значит, и значения емкостей коллектора и эмит - в) тера. [9]
За время нарастания / полностью включенной оказывается лишь узкая область площади эмиттера, расположенная вблизи управляющего электрода. На последнем этапе включения ( интервале установления, или распространения, р) процесс включения распространяется на всю эффективную площадь структуры. Скорость увеличения рабочей площади структуры v может составлять несколько десятых мм / мксек. При высоких скоростях изменения анодного тока diT / dt конечная скорость распространения процесса включения приводит к повышенным плотностям тока в первоначально включившихся областях и к локальным перегревам перехода. [10]
Возникшая первоначально проводящая область площади S0 начинает затем распространяться на всю площадь эмиттера, увеличивая свои линейные размеры со скоростью v - 0 1 мм / мкс. На каких параметрах прибора сказывается этот процесс. [11]
 |
Однопереходный транзистор. [12] |
Очевидно, что модуляция сопротивления области базы будет тем больше, чем больше площадь эмиттера. [13]
В слаботочной структуре из-за малости ее поперечных размеров ток управления протекает по всей площади эмиттера и включение всей структуры происходит практически одновременно. [14]
 |
Концентрация тока в коллекторной области, вызванная оттеснением эмиттерного тока к краю эмиттера. [15] |
Страницы: 1 2 3 4