Площадь - эмиттер
Cтраница 2
Оценка сопротивления насыщения, в которой за эффективное сечение тока в коллекторной области берется площадь эмиттера, дает завышенный результат, а если считать, что коллекторный ток распределен равномерно по всему сечению коллекторного перехода, то результат будет занижен. [16]
В связи с этим требование увеличения периметра эмиттера часто опять переходит в требование увеличения площади эмиттера. [17]
Зб) получено для одномерной модели, то оно будет справедливо для триодов, у которых площадь эмиттера равна площади коллектора. [18]
 |
Цифро-аналоговый преобразователь. [19] |
Для поддержания постоянной плотности токов через эмиттерные переходы источников токов с двоичным взвешиванием применены транзисторы, у которых площади эмиттеров пропорциональны токам соответствующих разрядов. Это позволяет сохранить постоянным падение напряжения на эмиттерных переходах независимо от тока разряда и получить необходимую линейность. [20]
 |
Структура ( а и топология ( б интегрального транзистора.| Структура ( а и топология ( 6 мно-гоэмит герного транзистора. [21] |
Площадь интегрального транзистора, структура и топология которого показаны на рис. 2.17, можно рассчитать, исходя из известных площади эмиттера 5э, минимальной ширины контактов б, минимального расстояния между контактами и фронтами диффузии а, а также глубины эпитаксиального слоя хс. [22]
При этом прямое напряжение эмиттерного перехода увеличивается к краю эмиттера, что приводит к неравномерному распределению плотности тока по площади эмиттера и оттеснению его к краю эмиттера. Этот эффект называется эффектом оттеснения тока эмиттера. [23]
 |
Триоды типа П16. [24] |
Как у бездрейфовых, так и у дрейфовых триодов меньшие значения Bj по сравнению с BN объясняются еще и тем, что площадь эмиттера меньше, чем площадь коллектора. [25]
Потери электронов на боковой и нижней поверхностях базы исключают, изготовляя транзистор с пло-шадью коллектора, в 1 5 - 3 раза превышающей площадь эмиттера. [26]
Особенность работы транзистора на высоких частотах заключается также в появлении эффекта оттеснения носителей к краям эмиттера, в результате чего происходит перераспределение плотности тока и значительная часть площади эмиттера не используется, а максимальная плотность тока образуется в узкой кромке по периметру эмиттера. [27]
Таким образом, чтобы снизить температурную зависимость чувствительности фототранзистора, необходимо уменьшить долю / кфг в общем фототоке / кф - Для этого нужно уменьшать эффективную диффузионную длину, а также снижать отношение R3IRK, уменьшая площадь эмиттера. Целесообразно также сдвинуть центр эмиттерного перехода относительно коллекторного, чтобы мертвая зона была на краю светочувствительной площадки. [28]
Таким образом, внешняя часть эмиттера будет работать при повышенных плотностях тока, в то время как внутренняя, центральная, часть эмиттера будет работать при меньших плотностях тока. Если площадь эмиттера выбрана исходя из некоторой средней допустимой плотности тока, то краевые области эмиттера будут работать в условиях перегрузки, тогда как центральная часть будет недогружена. [29]
На практике, однако, мощные транзисторы работают в условиях высокого уровня инжекции и более или менее значительной концентрации тока к краю эмиттера. Поэтому вместо увеличения площади эмиттера приходится добиваться увеличения периметра эмиттера за счет усложнения его конфигурации. [30]
Страницы: 1 2 3 4